Modulo mezzo ponte 250A 1200V Modulo IGBT DGB250H120L2T 62mm

Modulo mezzo ponte 250A 1200V

1 Descrizione 

Questi transistor bipolari a gate isolato utilizzavano un design avanzato con tecnologia trench e Fieldstop, fornivano un eccellente VCEsat e velocità di commutazione, bassa carica di gate. Che è conforme allo standard RoHS. 

2 Caratteristiche 

  ● Tecnologia FS Trench, coefficiente di temperatura positivo 

  ● Bassa tensione di saturazione: VCE(sat), tipica = 1,7 V @ IC = 600 A e Tj = 25°C 

  ● Capacità valanghe estremamente migliorata 

3 applicazioni 

• Saldatura 

• UPS 

• Invertitore a tre livelli 

• Amplificatore servoazionamento AC e DC

  
  

  Tipo	VCE	Circuito integrato	VCEsat,Tj=25℃	Tjop	Pacchetto
  DGB250H120L2T	1200 V	250 A (Tj=100 ℃)	1,95 V (tip.)	175 ℃	62MM