250A 1200V MODULO HEFF BROED IGBTMODULE DGB250H120L2T 62MM

Modulo a mezzo bridge da 250A 1200V

1 Descrizione 

Questi transistor bipolari a gate isolati hanno utilizzato una progettazione avanzata di trincea e tecnologia fieldstop, hanno fornito un'eccellente velocità VCEAT e di commutazione, bassa carica di gate. Che accorda con lo standard ROHS. 

2 caratteristiche 

  ● Tecnologia della trincea FS, coefficiente di temperatura positivo 

  ● Tensione di saturazione bassa: VCE (SAT), tip = 1.7V @ IC = 600A e TJ = 25 ° C 

  ● Capacità di valanga estremamente migliorata 

3 applicazioni 

• Saldatura 

• UPS 

• Inverter a tre leve 

• Amplificatore AC e DC Servo Drive

  
  

  Tipo	Vce	Circuito integrato	VceSat, TJ = 25 ℃	Tjop	Pacchetto
  DGB250H120L2T	1200v	250A (TJ = 100 ℃)	1.95V (tipo)	175 ℃	62 mm