未命名 (1) (8) (1)
Gate
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Narito ka: Home » Mga produkto » Module ng IGBT » Pim » 250A 1200V Half Bridge Module IGBTMODULE DGB250H120L2T 62MM

Naglo -load

Ibahagi sa:
Button sa Pagbabahagi ng Facebook
Button sa Pagbabahagi ng Twitter
Button sa Pagbabahagi ng Linya
Button ng Pagbabahagi ng WeChat
Button sa Pagbabahagi ng LinkedIn
Button ng Pagbabahagi ng Pinterest
pindutan ng pagbabahagi ng whatsapp
Button ng Pagbabahagi ng Sharethis

250A 1200V Half Bridge Module IGBTMODULE DGB250H120L2T 62mm

Ang mga insulated gate bipolar transistor na ginamit ang advanced na kanal at disenyo ng teknolohiya ng fieldstop, na ibinigay ng mahusay na vcesat at bilis ng paglipat, mababang singil sa gate. Na naaayon sa pamantayan ng ROHS.
Availability:
Dami:
Magtanong Idagdag sa basket

250A 1200V kalahating module ng tulay


1 Paglalarawan 

Ang mga insulated gate bipolar transistor na ginamit ang advanced na trench at fieldstop na disenyo ng teknolohiya, na ibinigay ng mahusay na vcesat at bilis ng paglipat, mababang singil sa gate. Na naaayon sa pamantayan ng ROHS. 


2 Mga Tampok 

  ● Teknolohiya ng FS Trench, koepisyent ng positibong temperatura 

  ● Mababang boltahe ng saturation: vce (sat), typ = 1.7v @ ic = 600a at tj = 25 ° C 

  ● Sobrang pinahusay na kakayahan ng avalanche 


3 mga aplikasyon 

  • Pag -welding 

  • UPS 

  • Tatlong-leve inverter 

  • AC at DC Servo Drive amplifier


    I -type Vce IC Vcesat, tj = 25 ℃ TJOP Package
    DGB250H120L2T 1200V 250a (tj = 100 ℃) 1.95V (typ) 175 ℃ 62mm
Nakaraan: 
Susunod: 
Module ng IGBT
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Mag -sign up para sa aming newsletter
  • Maghanda para sa hinaharap
    na pag -sign up para sa aming newsletter upang makakuha ng mga update nang diretso sa iyong inbox
    Isumite
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co, Ltd Technology ni leadong.com