250A 1200V ម៉ូឌុលស្ពានពាក់កណ្តាល IGBTModule DGB250H120L2T 62mm

ម៉ូឌុលស្ពានពាក់កណ្តាល 250A 1200V

1 ការពិពណ៌នា 

Insulated Gate Bipolar Transistor ទាំងនេះបានប្រើប្រាស់លេណដ្ឋាន និងការរចនាបច្ចេកវិជ្ជា Fieldstop កម្រិតខ្ពស់ ដែលផ្តល់នូវ VCEsat ដ៏ល្អឥតខ្ចោះ និងល្បឿនប្តូរ ការគិតប្រាក់ទាប។ ដែលអនុលោមតាមស្តង់ដារ RoHS ។ 

2 លក្ខណៈពិសេស 

  ● បច្ចេកវិទ្យា FS Trench មេគុណសីតុណ្ហភាពវិជ្ជមាន 

  ● វ៉ុលតិត្ថិភាពទាប៖ VCE(sat), typ = 1.7V @ IC = 600A និង Tj = 25°C 

  ● សមត្ថភាពនៃការធ្លាក់ព្រិលខ្លាំង 

3 កម្មវិធី 

• ការផ្សារដែក 

• UPS 

• Inverter បីជាន់ 

• ឧបករណ៍ពង្រីកដ្រាយ AC និង DC servo

  
  

  ប្រភេទ	VCE	អ៊ីក	VCEsat, Tj = 25 ℃	Tjop	កញ្ចប់
  DGB250H120L2T	1200V	250A (Tj=100 ℃)	1.95V (ប្រភេទ)	175 ℃	62 ម។