250A 1200 V Half Bridge -moduuli IGBTMODULE DGB250H120L2T 62mm

250A 1200 V Half Bridge -moduuli

1 Kuvaus 

Nämä eristetyt portin bipolaariset transistorit käyttivät edistynyttä kaivo- ja kenttästöteknologian suunnittelua, tarjosivat erinomaisen VCESAT- ja kytkentänopeuden, matalan portin varauksen. Joka sopii ROHS -standardiin. 

2 ominaisuutta 

  ● FS -kaivantotekniikka, positiivinen lämpötilakerroin 

  ● Matala kylläisyysjännite: VCE (la), typ = 1,7 V @ ic = 600a ja tj = 25 ° C 

  ● Erittäin parannettu lumivyörykyky 

3 sovellusta 

• Hitsaus 

• Kisko 

• Kolmen luvun taajuusmuuttaja 

• AC- ja DC Servo -vahvistin

  
  

  Tyyppi	VCE	IC	Vcesat, tj = 25 ℃	Tjop	Paketti
  DGB250H120L2T	1200 V	250A (TJ = 100 ℃)	1,95 V (TYP)	175 ℃	62 mm