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transistor bipolar G50T65DS TO-247S de la puerta aislada Trenchstop de 50A 650V

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transistor bipolar G50T65DS TO-247S de la puerta aislada Trenchstop de 50A 650V

Utilizando el diseño de trinchera patentado de DongHai y la avanzada tecnología FS, el IGBT FS de 650 V ofrece rendimiento de conmutación superior, alta resistencia a avalanchas y fácil operación en paralelo

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Modelo:
G50T65DS
Marca:
WXDH
Paquete:
TO-247S
Ficha de datos:
G50T65DS_datasheet.pdf
V:
650V
A:
50A

Descripción del Producto

Transistor bipolar de puerta aislada Trenchstop de 50A 650V

1 Características

● Tecnología FS Trench, coeficiente de temperatura positivo

● Voltaje de baja saturación: VCE(sat), típ. = 2,0 V @ IC = 50 A y Tj = 25 °C

● Capacidad de avalancha extremadamente mejorada

3 aplicaciones

● Soldadura

● SAI

● Inversor de tres niveles

VCE	Vcesat,Tj=25℃	ic	Tjmax	Paquete
650V	2,0 V	50A	175℃	TO-247S

IGBT

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