disponibilità di funzionamento parallelo: | |
---|---|
quantità: | |
G50T65DS
Wxdh
To-247s
650v
50a
50A 650V Transistor bipolare di gate isolato a trench
1 caratteristiche
● Tecnologia della trincea FS, coefficiente di temperatura positivo
● Tensione di saturazione bassa: VCE (SAT), tip = 2.0V @ IC = 50a e TJ = 25 ° C
● Capacità di valanga estremamente migliorata
3 applicazioni
● Saldatura
● UPS
● Inverter a tre livelli
Vce | VceSat, TJ = 25 ℃ | Circuito integrato | Tjmax | Pacchetto |
650v | 2.0v | 50a | 175 ℃ | To-247s |
50A 650V Transistor bipolare di gate isolato a trench
1 caratteristiche
● Tecnologia della trincea FS, coefficiente di temperatura positivo
● Tensione di saturazione bassa: VCE (SAT), tip = 2.0V @ IC = 50a e TJ = 25 ° C
● Capacità di valanga estremamente migliorata
3 applicazioni
● Saldatura
● UPS
● Inverter a tre livelli
Vce | VceSat, TJ = 25 ℃ | Circuito integrato | Tjmax | Pacchetto |
650v | 2.0v | 50a | 175 ℃ | To-247s |