ເຈົ້າຢູ່ນີ້: ບ້ານ » ຜະລິດຕະພັນ » IGBT » 600V-650V » 50A 650V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor G50T65DS TO-247S

ແບ່ງປັນໄປທີ່:

50A 650V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor G50T65DS TO-247S

ການນໍາໃຊ້ການອອກແບບ Trench ທີ່ເປັນເຈົ້າຂອງ DongHai ແລະກ້າວຫນ້າທາງດ້ານເທກໂນໂລຍີ FS, 650V FS IGBT ສະຫນອງການປະຕິບັດທີ່ເຫນືອກວ່າແລະສະຫຼັບ, ການ avalanche ສູງ ruggedness ການດໍາເນີນງານຂະຫນານງ່າຍ

ມີໃຫ້:

ປະລິມານ:



ສອບຖາມ ເພີ່ມໃສ່ກະຕ່າ

ຕົວແບບ:
G50T65DS
ຍີ່ຫໍ້:
WXDH
ຊຸດ:
TO-247S
ແຜ່ນຂໍ້ມູນ:
G50T65DS_datasheet.pdf
V:
650V
A:
50A

ລາຍລະອຽດຜະລິດຕະພັນ

50A 650V Trenchstop Insulated Gate Transistor Bipolar

1 ຄຸນສົມບັດ

● FS Trench Technology, ຄ່າສໍາປະສິດອຸນຫະພູມບວກ

● ແຮງດັນຄວາມອີ່ມຕົວຕໍ່າ: VCE(sat), typ = 2.0V @ IC = 50A ແລະ Tj = 25°C

● ຄວາມສາມາດຂອງຫິມະຫິມະຕົກທີ່ດີຂຶ້ນ

3 ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ

● ການເຊື່ອມໂລຫະ

● UPS

● Inverter ສາມລະດັບ

VCE	Vcesat,Tj=25℃	ໄອຄ	Tjmax	ຊຸດ
650V	2.0V	50A	175 ℃	TO-247S

ທີ່ຜ່ານມາ:

ຕໍ່ໄປ:

IGBT

ລົງທະບຽນສໍາລັບຈົດຫມາຍຂ່າວຂອງພວກເຮົາ
ກຽມພ້ອມສໍາລັບອະນາຄົດ
ທີ່ລົງທະບຽນສໍາລັບຈົດຫມາຍຂ່າວຂອງພວກເຮົາເພື່ອຮັບການອັບເດດໂດຍກົງໄປຫາ inbox ຂອງທ່ານ

ສົ່ງ

ຜະລິດຕະພັນຂອງພວກເຮົາ
ກ່ຽວກັບ LETOR
ລິ້ງເພີ່ມເຕີມ
ຕິດຕໍ່ພວກເຮົາ

ອີເມວ:

sales@wxdh.com .cn

ຕັ້ງໂຕະ:

+86-510-85307789
ເຄືອຂ່າຍສັງຄົມ