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transistor bipolaire G50T65DS TO-247S de porte isolée par Trenchstop de 50A 650V

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transistor bipolaire G50T65DS TO-247S de porte isolée par Trenchstop de 50A 650V

Utilisant la conception de tranchée exclusive de DongHai et la technologie FS avancée, l'IGBT FS 650 V offre des performances de commutation supérieures, une robustesse élevée en cas d'avalanche, un fonctionnement parallèle facile

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Modèle:
G50T65DS
Marque:
WXDH
Emballer:
TO-247S
Fiche de données:
G50T65DS_fiche technique.pdf
V :
650V
UN:
50A

Description du produit

Transistor bipolaire à porte isolée par Trenchstop 50A 650V

1 Caractéristiques

● Technologie de tranchée FS, coefficient de température positif

● Faible tension de saturation : VCE(sat), typ = 2,0 V @ IC =50A et Tj =25°C

● Capacité d'avalanche extrêmement améliorée

3 candidatures

● Soudage

● UPS

● Onduleur à trois niveaux

VCE	Vcesat,Tj=25℃	IC	Tjmax	Emballer
650V	2,0 V	50A	175 ℃	TO-247S

IGBT

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