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50A 650V Trenchstop isolou o transistor bipolar G50T65DS TO-247S da porta

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50A 650V Trenchstop isolou o transistor bipolar G50T65DS TO-247S da porta

Usando o design Trench proprietário da DongHai e a avançada tecnologia FS, o IGBT 650V FS oferece desempenho superior e de comutação, alta robustez em avalanches, fácil operação paralela

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Modelo:
G50T65DS
Marca:
WXDH
Pacote:
TO-247S
Ficha de dados:
G50T65DS_datasheet.pdf
V:
650 V
UM:
50A

Descrição do produto

Transistor bipolar de porta isolada Trenchstop 50A 650V

1 Recursos

● Tecnologia FS Trench, coeficiente de temperatura positivo

● Baixa tensão de saturação: VCE(sat), tipo = 2,0V @ IC =50A e Tj =25°C

● Capacidade de avalanche extremamente aprimorada

3 aplicações

● Soldagem

● UPS

● Inversor de três níveis

VCE	Vcesat,Tj=25℃	Eu	Tjmax	Pacote
650 V	2,0V	50A	175°C	TO-247S

IGBT

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