Olete siin: Kodu » Tooted » IGBT » 600V-650V » 50A 650V isoleeritud väravaga bipolaarne transistor G50T65DS TO-247S

50A 650V kraavitõkkega isoleeritud väravaga bipolaarne transistor G50T65DS TO-247S

Jaga:

50A 650V kraavitõkkega isoleeritud väravaga bipolaarne transistor G50T65DS TO-247S

Kasutades DongHai patenteeritud kaeviku disaini ja täiustatud FS-tehnoloogiat, pakub 650 V FS IGBT suurepäraseid ja lülitusomadusi, kõrget laviinikindlust, hõlpsat paralleelset töötamist.

Saadavus:

Kogus:



Uurige Lisa ostukorvi

Mudel:
G50T65DS
Kaubamärk:
WXDH
Pakett:
TO-247S
Andmeleht:
G50T65DS_datasheet.pdf
V:
650V
V:
50A

Toote kirjeldus

50A 650V Trenchstop isoleeritud värava bipolaarne transistor

1 Omadused

● FS Trench Technology, positiivne temperatuuritegur

● Madal küllastuspinge: VCE (sat), tüüp = 2,0 V @ IC = 50 A ja Tj = 25 ° C

● Äärmiselt täiustatud laviinivõime

3 Rakendused

● Keevitamine

● UPS

● Kolmetasandiline inverter

VCE	Vcesat, Tj = 25 ℃	Ic	Tjmax	pakett
650V	2,0 V	50A	175 ℃	TO-247S

Eelmine:

Järgmine:

IGBT

Liituge meie uudiskirjaga
valmistuge tulevikuks
registreeruge meie uudiskirja saamiseks, et saada värskendused otse oma postkasti

Esita

MEIE TOOTED
- MOSFET
- DIOOD
- IGBT
- IGBT MOODUL
- SIC
- Pingeregulaator IC
LETORI KOHTA
ROHKEM LINKE
VÕTA ÜHENDUST

E-post:

sales@wxdh.com .cn

Lauatelefon:

+86-510-85307789
SOTSIAALVÕRGUSTID