未命名 (1) (8) (1) (1)
ဂိတ်
Jiangsu Donghai Semiconductor Co. , Ltd
သင်ဒီမှာရှိနေသည်။ နေအိမ် » ထုတ်ကုန်များ » igbt » 600v-650v »» bipolar trenchstop သည်ဂိတ်တပ်မတော် Transistor G50T65Ds to-247

တင်ဆောင်

မျှဝေပါ:
Facebook Sharing Button
Twitter Sharing Button
လိုင်းမျှဝေခြင်းခလုတ်
WeChat Sharing Button
LinkedIn Sharing Button
Pinterest မျှဝေခြင်းခလုတ်
WhatsApp Sharing Button
Sharethis sharing ခလုပ်

50a 650V Trienchstop သည်ဂိတ်တံခါးဝမှာ Gate Transistor G5Tt65Ds to-247

Donghai ၏စီးပွားဖြစ်တုတ်ကျင်းပုံစံနှင့်ကြိုတင် fs နည်းပညာကိုအသုံးပြုခြင်း 650V FS IGBT သည်သာလွန်မြင့်မြတ်သောအပြိုင်အပြိုင်အဆိုင်များပြီးအပြိုင်စစ်ဆင်ရေး
ရရှိနိုင်မှု မြင့်မားခြင်း
,
မေးမြန်း တောင်းထဲသို့ထည့်ပါ

  • G50t65Ds

  • wxdh

  • to-247s

  • g50t65Ds_datasheet.pdf

  • 650Vvv

  • 50tha

50a 650v Trenchstop Insulated ဂိတ်ခုံများ


1 

● FS trench နည်းပညာ, အပြုသဘောဆောင်သောအပူချိန်မြှင့်တင်ရန် 

●အနိမ့်ပြည့်နှက်သောဗို့အား - VCE (SAT), ရိုက်ချက် = 2.0V @ IC = 50 နှင့် TJ = 25 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်

●အလွန်အမင်းတိုးမြှင့်သော avalanche စွမ်းရည်


3

●ဂဟေဆော်ခြင်း 

● Ups

●သုံးဆင့် levterter


သဘောနဲ့ VStsat, tj = 25 ℃ အိုင်စီ TJMAX အထုပ်
650Vvv 2.0V 50tha  175 ℃ to-247s


ယခင်: 
နောက်တစ်ခု: 
igbt
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co. , Ltd
  • ကျွန်တော်တို့ရဲ့သတင်းလွှာအတွက်စာရင်းသွင်းပါ
  • အနာဂတ်အတွက်အဆင်သင့်ပြင်ဆင်ပါ
    သင်၏ Inbox သို့မွမ်းမံရန်ကျွန်ုပ်တို့၏သတင်းလွှာအတွက်
    နားထောင်
မူပိုင်ခွင့်© 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co. , Ltd နည်းပညာ လက်တွဲ.