မင်းဒီမှာပါ: အိမ် » ထုတ်ကုန်များ » IGBT » 600V-650V » 50A 650V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor G50T65DS TO-247S

မျှဝေရန်-

50A 650V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor G50T65DS TO-247S

DongHai ၏ မူပိုင် Trench ဒီဇိုင်းနှင့် အဆင့်မြင့် FS နည်းပညာကို အသုံးပြု၍ 650V FS IGBT သည် သာလွန်ကောင်းမွန်ပြီး ကူးပြောင်းသည့် စွမ်းဆောင်ရည်ကို ပေးစွမ်းနိုင်ပြီး မြင့်မားသော နှင်းတောင်များထူထပ်ကာ ပြိုင်တူလည်ပတ်ရလွယ်ကူသော အပြိုင်

ရရှိနိုင်မှု-

အရေအတွက်-



မေးမြန်းပါ။ အိတ်ထဲသို့ထည့်ပါ။

မော်ဒယ်-
G50T65DS
အမှတ်တံဆိပ်-
WXDH
အထုပ်-
TO-247S
အချက်အလက်စာရွက်:
G50T65DS_datasheet.pdf
V:
650V
A-
50A

ကုန်ပစ္စည်းအကြောင်းအရာ

50A 650V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor

အင်္ဂါရပ်များ ၁

● FS Trench နည်းပညာ၊ အပြုသဘောဆောင်သောအပူချိန်ကိန်းဂဏန်း

● ပြည့်ဝသောဗို့အား- VCE(sat), typ = 2.0V @ IC = 50A နှင့် Tj = 25°C

● နှင်းပြိုကျမှုစွမ်းရည်ကို အလွန်မြှင့်တင်ထားသည်။

3 လျှောက်လွှာများ

● ဂဟေဆော်ခြင်း။

● UPS

● သုံးအဆင့် အင်ဗာတာ

VCE	Vcesat၊Tj=25 ℃	အိုင်စီ	Tjmax	အထုပ်
650V	2.0V	50A	175 ℃	TO-247S

ယခင်-

နောက်တစ်ခု:

IGBT

ကျွန်ုပ်တို့၏သတင်းလွှာအတွက် စာရင်းသွင်းပါ။
အနာဂတ်တွင် စာရင်းပေးသွင်းရန် အဆင်သင့်ဖြစ်နေပါစေ။
သင့်ဝင်စာပုံးတွင် အပ်ဒိတ်များကို တိုက်ရိုက်ရယူရန် ကျွန်ုပ်တို့၏သတင်းလွှာအတွက်

တင်ပြပါ။

ကျွန်ုပ်တို့၏ထုတ်ကုန်များ
- MOSFET
- DIODE
- IGBT
- IGBT MODULE
- SIC
- Voltage Regulator IC
LETOR အကြောင်း
နောက်ထပ် လင့်ခ်များ
ကြှနျုပျတို့ကိုဆကျသှယျရနျ

အီးမေးလ်-

sales@wxdh.com .cn

ကြိုးဖုန်း-

+86-510-85307789
လူမှုကွန်ရက်များ