geçit
Jiangsu Donghai Yarıiletken Co, Ltd
Buradasınız: Ev » Ürünler » IGBT » 600V-650V » 50A 650V Hendek Durdurucu Yalıtımlı Kapı Bipolar Transistör G50T65DS TO-247S

yükleniyor

Şurada paylaş:
facebook paylaşım butonu
twitter paylaşım butonu
hat paylaşma butonu
wechat paylaşım düğmesi
linkedin paylaşım butonu
ilgi alanı paylaşma düğmesi
whatsapp paylaşım butonu
bu paylaşım düğmesini paylaş

50A 650V Hendek Durdurucu Yalıtımlı Kapı Bipolar Transistör G50T65DS TO-247S

DongHai'nin tescilli Trench tasarımını ve gelişmiş FS teknolojisini kullanan 650V FS IGBT, üstün ve anahtarlama performansları, yüksek çığ dayanıklılığı, kolay paralel çalışma
.
sunar

50A 650V Hendek Durdurucu Yalıtımlı Kapı Bipolar Transistör


1 Özellikler 

● FS Hendek Teknolojisi, Pozitif sıcaklık katsayısı 

● Düşük doyma voltajı: VCE(sat), tip = 2,0V @ IC =50A ve Tj =25°C

● Son derece gelişmiş çığ kapasitesi


3 Uygulama

● Kaynak 

● UPS

● Üç Seviyeli İnvertör


VCE Vcesat,Tj=25°C IC Tjmaks Paket
650V 2.0V 50A  175°C TO-247S


Öncesi: 
Sonraki: 
  • Bültenimize kaydolun
  • geleceğe hazırlanın
    güncellemeleri doğrudan gelen kutunuza almak için bültenimize kaydolun