ворота
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ви тут: додому » Продукти » IGBT » 600В-650В » Біполярний транзистор G50T65DS TO-247S ізольованим затвором 50A 650V Tranchstop

завантаження

Поділитися з:
кнопка спільного доступу до Facebook
кнопка спільного доступу до Twitter
кнопка спільного доступу до лінії
кнопка спільного доступу до wechat
кнопка спільного доступу в Linkedin
кнопка спільного доступу на pinterest
кнопка спільного доступу до WhatsApp
поділитися цією кнопкою спільного доступу

Біполярний транзистор з ізольованим затвором 50A 650V G50T65DS TO-247S

Використовуючи запатентовану конструкцію DongHai Trench і передову технологію FS, 650 В FS IGBT забезпечує чудові характеристики перемикання, високу лавинну стійкість, легку паралельну роботу.
Доступність:
Кількість:
  • G50T65DS

  • WXDH

  • ТО-247С

  • G50T65DS_datasheet.pdf

  • 650В

  • 50А

Біполярний транзистор з ізольованим затвором 50A 650V


1 Особливості 

● FS Trench Technology, позитивний температурний коефіцієнт 

● Низька напруга насичення: VCE (sat), typ = 2,0 В @ IC = 50 A та Tj = 25 °C

● Надзвичайно покращена лавиноздатність


3 Додатки

● Зварювання 

● ДБЖ

● Трирівневий інвертор


VCE Vcesat,Tj=25℃ Ic Tjmax Пакет
650В 2,0 В 50А  175 ℃ ТО-247С


Попередній: 
далі: 
  • Підпишіться на нашу розсилку
  • готуйтеся до майбутнього,
    підпишіться на нашу розсилку, щоб отримувати оновлення прямо у свою поштову скриньку