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MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 105A 68V DHS055N07D TO-252B DHS055N07D TO-252B 68V 95A Donghai+DHS055N07B y DHS055N07D+Hoja de datos+V2.0 .pdf
MOSFET de potencia SIC de canal N de 68 A y 1200 V DCC040M170G2 A-247-3 1700V 67A Donghai_DCC040M170G2_Datasheet_V1.0(1).pdf
MOSFET de potencia SIC de canal N de 36A 1200V DCC080M120A TO-247-3L DCC080M170G2 A-247 1700V 37A Donghai_DCC080M170G2_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N 238A 60V DH026N06E TO-263 DH026N06E A-263 60V 238A Especificación del dispositivo DH026N06.pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 80A 68V DH072N07E TO-263 DH072N07E A-263 68V 80A Especificación del dispositivo DH072N07.pdf
Diodo de barrera Schottky 30A 100V TO-220F MBRF30100CT MBRF30100CT TO-220F 100V 30A 英文版MBRF30100CT技术规格书REV1.1.pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 80A 68V DH072N07D TO-252B DH072N07D TO-252B 68V 80A Especificación del dispositivo DH072N07.pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 100A 30V DH033N03D TO-252B DH033N03D TO-252B 30V 100A Especificación del dispositivo DH033N03(1).pdf
Diodo de recuperación rápida 80A 300V MUR80FU30DCT TO-3PN MUR80FU30DCT A-3PN 300V 80A 英文版MUR80FU30DCT技术规格书.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 110A 85V DHS055N85E TO-263 DHS055N85E A-263 85V 110A Especificación del dispositivo DHS055N85.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 180A 100V DHS035N10 TO-220 DHS035N10 A-220C 100V 180A Dispositivo+DHS035N10 y DHS035N10E+Especificación+Rev.1.0 (1).pdf
Módulo de medio puente 160A 650V IGBTMódulo DGA160H65M2T 34mm DGA160H65M2T 34mm 650V 160A DGA160H65M2T.pdf
DGF25F65M
Paquete de transistor de silicio epitaxial NPN MJD127 TO-252 MJD127 A-252 -100V -5A 英文版TIP127MJD127技术规格书.pdf
Diodo de recuperación rápida 15A 600V MUR1560 TO-220-2L MUR1560 TO-220-2L 600V 15A 英文版MUR1560技术规格书(1).pdf
Diodo de recuperación rápida 10A 400V MUR1040CT TO-220C MUR1040CT A-220C 400V 10A 英文版MUR1040CT技术规格书.pdf
MOSFET de SiC DCC016M120G3 TO-247 de 1200V/16mΩ/110A DCC016M120G3 A-247 1200V 110A Donghai_DCC016M120G3_datasheet_V1.0.pdf
MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 116A y 68 V DH070N07 A-220C 70V 100A Donghai_DH070N07(T0F)_Datasheet_V1.0.pdf
Módulo medio puente 40A 1200V IGBTMódulo DGA40H120M2T 34mm DGA40H120M2T 34mm 1200V 40A DGA40H120M2T-REV1.0.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 60A 68V DHD50N06 TO-252B DHD50N06 TO-252B 68V 60A Dispositivo 50N06B34 Especificación.pdf

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