Деревянные двери(1)(8) (1)
ворота
Цзянсу Донхай Полупроводниковая Компания, ООО
Вы здесь: Дом » Товары
Модель:
Упаковка:
В:
А:
ИЗБРАННЫЕ ЛИНИИ ПРОДУКЦИИ:

Все продукты

Изображение Модель Пакет V A Техническое описание Подробности Запрос Добавить в корзину
Трехконтактный регулятор напряжения IC L7805CV TO-220M L7805CV ТО-220М 5В 8мА 英文版L78XX 技术规格书.pdf
10А 1200В SiC диод Шоттки с барьером DCD10D120G4 / DCCT10D120G4 / DCET10D120G4
20А 650В барьерный диод ДКГТ20Д65Г4 Карбид Шоттки ТО-220-2Л DCGT20D65G4 ТО-220-2 650В 20А Спецификация устройства DCGT20D65G4.pdf
100 А, 40 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DSP018N04LA DFN5X6 ПАКЕТ ДСП018Н04ЛА DFN5X6 40В 100А  DSP018N04LA _DataSheet_V1.0.pdf
60A 68V N-канальный режим расширения MOSFET DH50N06 TO-220C ДХ50Н06 ТО-220С 68В 60А Спецификация устройства DH50N06FZC.pdf
100 В 140 А N-МОП-транзистор DSG054N10N3 TO-220C ДСГ054Н10Н3 ТО-220С 100 В 140А DSG054N10N3&DSE054N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
9А, 900 В, N-канальный режим расширения, силовой МОП-транзистор 9N90 TO-3PN 9Н90 ТО-3ПН 900В 9А 英文版9N90 3PN技术规格书.pdf
40 В/0,5 мОм/360AN-MOSFET DSU007N04NA Платный пакет ДСУ007Н04НА ПОТЕРИ 40В 360А DSU007N04NA_Datasheet_V1.0.pdf
10А 150В НИЗКИЙ Диод с барьером Шоттки MBR10R150CT TO-220C МБР10Р150КТ ТО-220С 150 В 10А 英文版MBR10R150CT 技术规格书.pdf
50 А, 120 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH150N12 TO-220C ДХ150Н12 ТО-220С 120 В 50А Спецификация устройства DH150N12.pdf
80 В/3,4 мОм/100 А N-MOSFET DSP037N08N3 DFN5X6 ДСП037N08N3 ДФН5*6-8 80В 100А DSP037N08N3_Datasheet_V1.0.pdf
ДГК40Ф65М2 ТО-247 ДГК40Ф65М2 ТО-247 650В 40А _datasheet-12.26.pdf
180 А, 135 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DSG045N14N TO-220 ДСГ045Н14Н ТО-220С 135 В 180А DSE043N14N&DSG045N14N_DataSheet_V3.0.pdf
235А, 30 В, N-канальный режим расширения, силовой МОП-транзистор DH012N03U, платный пакет ДХ012Н03У ПОТЕРИ 30В 235А Устройство+DH012N03U+Спецификация+V2.0.pdf
Диод быстрого восстановления 60А 200В MUR6020NCA TO-3PN MUR6020NCA ТО-3ПН 200В 60А 英文版MUR6020NCA 技术规格书Rev. 1.1.pdf
170 А, 85 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DSP032N08NA DFN5X6 ДСП032Н08НА DFN5X6 85В 170А DSP032N08NA_Datasheet_V1.0.pdf
50 А, 150 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH50N15 TO-220C ДХ50Н15 ТО-220С 150 В 50А Спецификация устройства DH50N15.pdf
DSU024N10N3A Платный пакет ДСУ024Н10Н3А ПОТЕРИ 100 В 272А DSU024N10N3A_Datasheet_V1.0.pdf
100 В/1,7 мОм/240 А N-MOSFET DSG024N10N3 TO-220C ДСГ024Н10Н3 ТО-220С 100 В 240А DSG024N10N3&DSE022N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
ДСЕ043Н14Н ТО-263 ДСЕ043Н14Н ТО-263 135 В 180А DSE043N14N&DSG045N14N_DataSheet_V3.0.pdf

Видео о продукте

  • Цзянсу Донхай Полупроводниковая Компания, ООО
  • Подпишитесь на нашу рассылку
  • будьте готовы к будущему,
    подпишитесь на нашу рассылку, чтобы получать обновления прямо на ваш почтовый ящик
    Представлять на рассмотрение
Авторские права © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. Leadong.com