2A 600V N-канальный режим режима Power Mosfet D2N60 до 252B

2A 600V N-канальный режим режима мощности Power Mosfet

1 Описание

Эти N-канальные улучшенные VDMOSFETS получают с помощью самоопределенной плоской технологии, которая снижает потерю проводимости, повышает производительность переключения и повышает энергию лавины. Который согласуется с ROHS 

2. Стандарт. 

● Быстрое переключение 

● Улучшенная ESD улучшенная способность 

● Низкое сопротивление (RDSON≤4,5 Ом) 

● Заряд с низким затвором (тип: 9,5NC) 

● Низкие емкости обратного переноса (тип: 3PF) 

● 100% тест на электроэнергию с одним импульсной лавиной

● Тест 100% ΔVDS

3 приложения

● Используется в различных цепи переключения питания для миниатюризации системы и более высокой эффективности. 

● Цепь переключателя питания электронного балласта и адаптера.