2A 600V N-канальный режим режима мощности Power Mosfet
1 Описание
Эти N-канальные улучшенные VDMOSFETS получают с помощью самоопределенной плоской технологии, которая снижает потерю проводимости, повышает производительность переключения и повышает энергию лавины. Который согласуется с ROHS
2. Стандарт.
● Быстрое переключение
● Улучшенная ESD улучшенная способность
● Низкое сопротивление (RDSON≤4,5 Ом)
● Заряд с низким затвором (тип: 9,5NC)
● Низкие емкости обратного переноса (тип: 3PF)
● 100% тест на электроэнергию с одним импульсной лавиной
● Тест 100% ΔVDS
3 приложения
● Используется в различных цепи переключения питания для миниатюризации системы и более высокой эффективности.
● Цепь переключателя питания электронного балласта и адаптера.
VDSS |
Rds (on) (тип) |
ИДЕНТИФИКАТОР |
600 В. |
3,6 Ом |
2A |