未命名 (1) (8) (1)
kapija
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Vi ste ovdje: Dom » Proizvodi » » Mosfet » 400V-1500V N MOS » 2A 600V N-kanal Poboljšanje Način snage Mosfet D2N60 TO-252B

učitavanje

Podijeli na:
Gumb za dijeljenje Facebooka
Gumb za dijeljenje na Twitteru
gumb za dijeljenje linija
gumb za dijeljenje weChat
LinkedIn gumb za dijeljenje
Gumb za dijeljenje Pinterest -a
Gumb za dijeljenje Whatsappa
gumb za dijeljenje Sharethis

2A 600V N-kanala Način poboljšanja Power Mosfet D2N60 TO-252B

2A 600V N-kanal Način poboljšanja Power MosFET
Dostupnost:
Količina:
Raspitati se Dodaj u koš

2A 600V N-kanala Način poboljšanja Power Mosfet


1 Opis

Ovi n-kanalni poboljšani VDMOSFET-ovi dobivaju se samostalno usklađenom ravninskom tehnologijom koja smanjuje gubitak kondukcije, poboljšava performanse prebacivanja i poboljšava energiju lavine. Koji se slaže s ROHS -om 


2.Standard. 

● Brzo prebacivanje 

● ESD poboljšala sposobnost 

● Nizak otpor (Rdson≤4.5Ω) 

● Naboj s malim vratima (Typ: 9,5NC) 

● Niske kondenzacije obrnutog prijenosa (Typ: 3PF) 

● 100% pojedinačni test energetike pulsa

● 100% ΔVDS test


3 prijave

● Koristi se u različitim sklopnim sklopovima napajanja za minijaturizaciju sustava i veću učinkovitost. 

● Krug sklopke napajanja elektronskog balasta i adaptera.


VDSS  RDS (ON) （Tip) Osobna iskaznica 
600V 3,6Ω 2a



Prethodno: 
Sljedeći: 
Mosfet
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Prijavite se za naš bilten
  • Pripremite se za buduću
    prijavu za naš bilten kako biste dobili ažuriranja izravno u vašu pristiglu poštu
    Podnijeti
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by LEADONG.com