2A 600V מצב שיפור N-channel Power MOSFET D2N60 TO-252B

2A 600V N-channel Mode Power MOSFET

1 תיאור

מכשירי Vdmosfets משופרים אלה עם ערוץ N, מתקבלים על ידי הטכנולוגיה המישורית המישורית העצמית אשר מפחיתה את אובדן ההולכה, משפרת את ביצועי המיתוג ומשפרת את אנרגיית המפולת. מה שמתאים ל-RoHS 

2. סטנדרטי. 

● מעבר מהיר 

● יכולת משופרת של ESD 

● התנגדות נמוכה (Rdson≤4.5Ω) 

● טעינת שער נמוכה (סוג: 9.5nC) 

● קיבולי העברה הפוכה נמוכים (סוג: 3pF) 

● 100% בדיקת אנרגיית מפולת חד פעמית

● 100% בדיקת ΔVDS

3 יישומים

● משמש במעגלי מיתוג מתח שונים עבור מזעור מערכת ויעילות גבוהה יותר. 

● מעגל מתג מתח של נטל אלקטרוני ומתאם.

VDSS	RDS(מופעל) (TYP)	תְעוּדַת זֶהוּת
600V	3.6Ω	2א