Elérhetőség: | |
---|---|
Mennyiség: | |
D2N60
WXDH
TO-252B
600 V -os
2A
2A 600V N-csatornás javítási mód POWER MOSFET
1 Leírás
Ezeket az N-csatornás továbbfejlesztett VDMOSFET-eket az önállóan beállított sík technológia nyeri, amely csökkenti a vezetési veszteséget, javítja a kapcsolási teljesítményt és javítja az a lavina energiáját. Amely összhangban áll a Rohs -szal
2.Standard.
● Gyors váltás
● Az ESD javított képessége
● Alacsony az ellenállás (rdson≤4,5Ω)
● Alacsony kapu töltés (TIP: 9.5NC)
● Alacsony fordított átviteli kapacitások (TYP: 3PF)
● 100% egyetlen impulzus lavina energiateszt
● 100% ΔVDS teszt
3 alkalmazás
● Különböző teljesítménykapcsoló -áramkörben használják a rendszer miniatürizálására és a nagyobb hatékonyságra.
● Az elektronballaszt és az adapter teljesítménykapcsoló áramköre.
VDSS | Rds (on) (typ) | Személyazonosság |
600 V -os | 3,6Ω | 2A |
2A 600V N-csatornás javítási mód POWER MOSFET
1 Leírás
Ezeket az N-csatornás továbbfejlesztett VDMOSFET-eket az önállóan beállított sík technológia nyeri, amely csökkenti a vezetési veszteséget, javítja a kapcsolási teljesítményt és javítja az a lavina energiáját. Amely összhangban áll a Rohs -szal
2.Standard.
● Gyors váltás
● Az ESD javított képessége
● Alacsony az ellenállás (rdson≤4,5Ω)
● Alacsony kapu töltés (TIP: 9.5NC)
● Alacsony fordított átviteli kapacitások (TYP: 3PF)
● 100% egyetlen impulzus lavina energiateszt
● 100% ΔVDS teszt
3 alkalmazás
● Különböző teljesítménykapcsoló -áramkörben használják a rendszer miniatürizálására és a nagyobb hatékonyságra.
● Az elektronballaszt és az adapter teljesítménykapcsoló áramköre.
VDSS | Rds (on) (typ) | Személyazonosság |
600 V -os | 3,6Ω | 2A |