2A 600V N-Canal Modo de mejora de potencia MOSFET D2N60 TO-252B

2A 600V MODO DE ENCANTACIÓN DE MEDIA DE MEDIA DEL CANAL

1 descripción

Estos VDMOSFET mejorados con el canal N, se obtienen mediante la tecnología plana autoalineada que reduce la pérdida de conducción, mejoran el rendimiento del cambio y mejora la energía de avalancha. Que concuerda con el rohs 

2. Estandardo. 

● Cambio rápido 

● ESD mejoró la capacidad 

● Baja de resistencia (rdson≤4.5Ω) 

● Baja carga de puerta (típ: 9.5nc) 

● Capacitancias de transferencia inversa bajas (típ: 3pf) 

● Prueba de energía de avalancha de pulso 100% 100%

● Prueba de 100% ΔVDS

3 aplicaciones

● Utilizado en varios circuitos de conmutación de potencia para la miniaturización del sistema y una mayor eficiencia. 

● Circuito de interruptor de encendido de lastre de electrones y adaptador.