MOSFET de SiC de canal N DCC080M170G2 TO-247 de 1700V/80mΩ/37A

MOSFET de SiC de canal N de 1700 V/80 mΩ/37 A

1 Descripción 

Esta familia de productos ofrece un rendimiento de última generación. Está diseñado para aplicaciones de alta frecuencia donde se requiere alta eficiencia y alta confiabilidad. 

2 características

• Mayor eficiencia del sistema 

• Requisitos de refrigeración reducidos

• Temperatura de funcionamiento de 175 ℃

• Mayor densidad de energía 

• Mayor frecuencia de conmutación del sistema

3 aplicaciones

• Accionamientos por motor 

• Fuentes de alimentación

• Convertidores CC/CC de alto voltaje

• Fuentes de alimentación de modo conmutado 

• Aplicaciones de energía pulsada

VDSS	RDS (activado) (TIPO)	IDENTIFICACIÓN
1700V	80mΩ	37A