MOSFET SiC canal N 1 700 V/80 mΩ/37 A DCC080M170G2 TO-247

MOSFET SiC canal N 1 700 V/80 mΩ/37 A

1 Descriptif 

Cette famille de produits offre des performances de pointe. Il est conçu pour les applications haute fréquence où un rendement et une fiabilité élevés sont requis. 

2 Caractéristiques

• Efficacité du système supérieure 

• Besoins de refroidissement réduits

• Température de fonctionnement de 175 ℃

• Densité de puissance accrue 

• Augmentation de la fréquence de commutation du système

3 candidatures

• Entraînements de moteur 

• Alimentations

• Convertisseurs DC/DC haute tension

• Alimentations à découpage 

• Applications de puissance pulsée

VDSS	RDS (activé) (TYP)	IDENTIFIANT
1700V	80 mΩ	37A