MOSFET SiC a canale N DCC080M170G2 TO-247 da 1700 V/80 mΩ/37 A

MOSFET SiC a canale N da 1700 V/80 mΩ/37 A

1 Descrizione 

Questa famiglia di prodotti offre prestazioni all'avanguardia. È progettato per applicazioni ad alta frequenza dove sono richieste alta efficienza e alta affidabilità. 

2 Caratteristiche

• Maggiore efficienza del sistema 

• Requisiti di raffreddamento ridotti

• Temperatura operativa 175℃

• Maggiore densità di potenza 

• Maggiore frequenza di commutazione del sistema

3 applicazioni

• Azionamenti a motore 

• Alimentatori

• Convertitori CC/CC ad alta tensione

• Alimentatori a commutazione 

• Applicazioni di potenza pulsata

VDSS	RDS(acceso) (TIPO)	ID
1700 V	80 mΩ	37A