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25A 650V Puerta de zanja aislada Transistor bipolar
1 descripción
Utilizando el diseño de trincheras patentado de Donghai y la tecnología FS Advance, el 650V FS IGBT ofrece superior y
actuaciones de conmutación, ruggedness de alta avalancha Operación paralela fácil
2 características
● Tecnología de trinchera FS, temperatura positiva
coeficiente
● Bajo voltaje de saturación: VCE (SAT), TYP = 1.85V
@ Ic = 25a y tj = 25 ° C
● Capacidad de avalancha extremadamente mejorada
3 aplicaciones
● Soldadura
● UPS
● Inverter de tres niveles
Tipo | VCE | Beer | Vcesat, TJ = 25 ℃ | Tjmax | Paquete |
DGF25F65M | 650V | 25A | 1.85V | 175 ℃ | A 220F |
25A 650V Puerta de zanja aislada Transistor bipolar
1 descripción
Utilizando el diseño de trincheras patentado de Donghai y la tecnología FS Advance, el 650V FS IGBT ofrece superior y
actuaciones de conmutación, ruggedness de alta avalancha Operación paralela fácil
2 características
● Tecnología de trinchera FS, temperatura positiva
coeficiente
● Bajo voltaje de saturación: VCE (SAT), TYP = 1.85V
@ Ic = 25a y tj = 25 ° C
● Capacidad de avalancha extremadamente mejorada
3 aplicaciones
● Soldadura
● UPS
● Inverter de tres niveles
Tipo | VCE | Beer | Vcesat, TJ = 25 ℃ | Tjmax | Paquete |
DGF25F65M | 650V | 25A | 1.85V | 175 ℃ | A 220F |