未命名(1)(8) (1)
Tor
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Sie sind hier: Heim » Produkte » IGBT » 600V-650V » DGF25F65M

Laden

Teilen mit:
Facebook-Sharing-Button
Twitter-Sharing-Button
Schaltfläche „Leitungsfreigabe“.
Wechat-Sharing-Button
LinkedIn-Sharing-Button
Pinterest-Sharing-Button
WhatsApp-Sharing-Button
Teilen Sie diese Schaltfläche zum Teilen

DGF25F65M

25 A 650 V Trenchstop Bipolartransistor mit isoliertem Gate
Verfügbarkeit:
Menge:
Erkundigen Zum Warenkorb hinzufügen

25 A 650 V Trenchstop-Bipolartransistor mit isoliertem Gate

1 Beschreibung

Mit dem proprietären Trench-Design und der fortschrittlichen FS-Technologie von DongHai bietet der 650-V-FS-IGBT überlegene und

Schaltleistungen, hohe Avalanche-Robustheit, einfacher Parallelbetrieb

2 Funktionen

● FS Trench-Technologie, positive Temperatur

Koeffizient

● Niedrige Sättigungsspannung: VCE(sat), typ. = 1,85 V

@ IC =25A und Tj = 25°C

● Extrem verbesserte Lawinenfähigkeit

3 Anwendungen

● Schweißen

● USV

● Dreistufiger Wechselrichter


Typ

 Vce Ic Vcesat,Tj=25℃ Tjmax Paket
DGF25F65M 650V 25A 1,85 V 175℃ TO-220F


Vorherige: 
Nächste: 
DGF25F65M
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Melden Sie sich für unseren Newsletter an
  • Machen Sie sich bereit für die Zukunft.
    Melden Sie sich für unseren Newsletter an, um Updates direkt in Ihren Posteingang zu erhalten
    Einreichen
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by Leadong.com