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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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9A 200V Modo de mejora del canal MOSFET D630 TO-252B D630 A 252b 200V 9A Dispositivo 630 Especificación.pdf
 Modo de mejora del canal N MOSFET 150A 150V DHS042N15 DHS042N15 A 220c 150V 150a Dhs042n15 y dhs042n15e_dataSheet_v2.0 (1) .pdf
Diodo de recuperación rápida 60A 1200V MUR60120BCT TO-247 MUR60120BCT To-247 1200V 60A 英文版 MUR60120CT 技术规格书 .pdf
120A 98V Modo de mejora del canal MOSFET DH90N045R TO-220C DH90N045R A 220c 98V 120a Dispositivo DH90N045RSM2 Especificación.PDF
Diodo de recuperación rápida 70A 200V MUR7020NCA TO-3PN MUR7020NCA A 3pn 200V 70a 英文版 MUR7020NCA 技术规格书 Rev. 1.1.pdf
-85A -60V Modo de mejora del canal POWER MOSFET DTD125P06LA TO-252B Dtd125p06la A 252b -60V -85a Dispositivo+DTD125P06LA+Especificación+Rev.1.0.pdf
112A 68V Modo de mejora del canal de potencia MOSFET DH100N06 a 220C DH100N06 A 220c 68V 112a Dh100n06_dataSheet_v3.0.pdf
 Modo de mejora del canal N potencia MOSFET 4A 1500V DH4N150B TO-247 DH4N150B To-247 1500V 4A 英文版 DH4N150B 技术规格书 .pdf
Diodo de recuperación rápida 80A 200V MUR80FU20DCS MUR80FU20DCS
Modo de mejora del canal P Potencia MOSFET 40A 100V DH100P40D TO 252B DH100P40D A 252b -100V -40a Dispositivo DH100P40D Especificación.PDF
Modo de mejora del canal N 100a 30V MOSFET 30H10/30H10F/30H10E/30H10B/30H10K 30H10/30H10F/30H10E/30H10B/30H10K
60A 600V Recuperación rápida Diodo MUR60FU60FCT TO-3PF MUR60FU60FCT A 3pf 600V 60A 英文版 MUR60FU60FCT 技术规格书 .pdf
30A 650V Puerta de zanja de trincheras Transistor bipolar DGF30F65M2 a 220F DGF30F65M2 A 220F 650V 30A _dataStheet.pdf
2A 650V N-Canal Modo de mejora de potencia MOSFET D2N65 TO-252B D2N65 A 252b 650V 2A 英文版 D2N65 技术规格书 .pdf
60A 650V Puerta de zanja aislada Transistor bipolar DGC60F65M TO-247 DGC60F65M To-247 650V 60A _dataSheet-12.26.pdf
16A 650V N-canal Super Junction Power MOSFET DHSJ21N65Z PDFN4 (8*8) Dhsj21n65z PDFN4 (8*8) 650V 16A DHSJ21N65Z Data hoja de datos V1.0 (1) .pdf
50A 650V Puerta de zanjes de trinchera Transistor bipolar G50T65LBBW TO-247 G50T65LBBW To-247 650V 50A _DataSheet (1) (1) .pdf
10.6A 650V N-canal Super Junction Potencia MOSFET DJF380N65T TO-220F DJF380N65T A 220F 650V 10.6a Dispositivo DJF380N65T Especificación Rev.1.0.pdf
Diodo de recuperación rápida 80A 1200V MUR80120 TO-247-2L MUR80120 TO-247-2L 1200V 80A 英文版 MUR80120 技术规格书 .pdf
36A 1200V N-canal SIC MOSFET DCCF080M120A2 TO-247-4L DCCF080M120A2 To-247-4l 1200V 36A Dispositivo DCC080M120A Especificación.PDF

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