未命名(1)(8) (1)
porta
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ju jeni këtu: Shtëpi » Produktet
Modeli:
Paketa:
V:
A:
LINJA E PRODUKTIT E ZGJEDHUR:

Të gjitha Produktet

i imazhit Modeli Paketa V A Detajet e fletës së të dhënave Kërkim Shtoni në shportë
DSG031N10N3 TO-220C DSG031N10N3
DSE022N10N3 TO-263 DSE022N10N3
105A 40V N-kanal i p� DH025N04P DFN5*6-8 40 V 130 A Specifikimi i pajisjes DH025N04.pdf
Diodë penguese Schottky 20A 200 V LOW VF MBRF20R200CT TO-220F MBRF20R200CT TO-220F 200 V 20 A 英文版MBR20R200CT技术规格书.pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanaleve N 25A 100 V Fuqia MOSFET DHS250N10D TO-252B DHS250N10D TO-252B 100 V 25A Pajisje+DHS250N10D+Specifikim+Rev1.0.pdf
90A 80V 80V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DHD80N08 TO-252B DHD80N08 TO-252B 80 V 90 A Specifikimi i pajisjes DHD80N08.pdf
-30A -100V modaliteti i përmirësimit të kanalit P me fuqi MOSFET DH100P30C TO-220C DH100P30C TO-220C -100 V -30 A Specifikimi i pajisjes DH100P30CB1Q.pdf
NPN epitaksial silic transistor 2SD882 TO-126 2SD882 TO-126 40 V 3A 英文版D882技术规格书.pdf
80A 400V diodë me rikuperim të shpejtë MUR80FU40NCT TO-3PN MUR80FU40NCT TO-3PN 400 V 80 A 英文版 MUR80FU40NCT技术规格书REV1.3.pdf
60A 200V SchottkyBarrierDiode MBR60200CT TO-220C MBR60200CT TO-220C 200 V 60 A 英文版MBR60200CT技术规格书.pdf
18A 1200V SIC Power MOSFET me kanal N DCC160M120G1 TO-247-3L DCC160M120G1 TO-247 1200 V 18A DCC160M120G1&DCCF160M120G1_Sheet_V1.0.pdf
10A 400V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET 740 TO-220C 740 TO-220C 400 V 10A Specifikimi i pajisjes 740.pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanaleve N 100A 40 V Fuqia MOSFET DHS021N04P DFN5X6 DHS021N04P DFN5X6 40 V 100A Fleta e të dhënave Donghai DHS021N04P V3.0.pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanaleve N 120A 80 V Fuqia MOSFET DSG053N08N3 DSG053N08N3 TO-220C 80 V 120A DSG053N08N3&DSE051N08N3_Sheet_V1.0.pdf
20mΩ 650V me kanal SiC Power MOSFET DCCF020M65G2 DCCF020M65G2 TO-247-4L 650 V 92A DCC020M65G2&DCCF020M65G2_Sheet_V1.0.pdf
170A 100V 100V N-kanali i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DSG030N10N3 TO-220C DSG030N10N3 TO-220C 100 V 170 A DSG030N10N3&DSE028N10N3_Sheet_V1.0.pdf
140A 150V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DSG070N15NA TO-220C DSG070N15NA TO-220C 150 V 140 A  DSG070N15NA_DataSheet_V1.0.pdf
30A 600V Diodë me rikuperim të shpejtë MUR3060NCT TO-3PN MUR3060NCT TO-3PN 600 V 30 A 英文版MUR3060NCT技术规格书REV1.0.pdf
30mΩ 1200V SiC Power MOSFET DCC030M120G2 TO-247-3L DCC030M120G2 TO-247 1200 V 68A DCC030M120G2_Fletë e të dhënave_V1.0.pdf
5A 1700V SIC Power MOSFET me kanal N DCCF1K0M170G1 TO-247-4L DCCF1K0M170G1

Video e produktit

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Regjistrohu për buletinin tonë
  • bëhuni gati për e ardhshëm në buletinin tonë për të marrë përditësime direkt në kutinë tuaj hyrëse
    regjistrimin
    Paraqisni
E drejta e autorit © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Teknologjia nga leadong.com