未命名 (1) (8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty
Model:
Balík:
PROTI:
A:
Vybrané produktové řady:

Všechny produkty

obrázku modelu Balíček V a o datovém listu podrobnosti dotaz Přidat do koše
9A 200V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET D630 TO-252B D630 TO-252B 200V 9a Zařízení 630 Specifikace.pdf
Režim vylepšení n-kanálu Power MOSFET 150A 150V DHS042N15 DHS042N15 TO-220C 150V 150a DHS042N15 & DHS042N15E_DATASHEET_V2.0 (1) .pdf
60A 1200V Fast Recovery Diode MUR60120BCT TO-247 Mur60120bct TO-247 1200V 60a 英文版 Mur60120CT 技术规格书 .pdf
120a 98V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DH90N045R TO-220C DH90N045R TO-220C 98v 120a Zařízení DH90N045RSM2 Specifikace.pdf
Rychlá zotavení dioda 70a 200 V mur7020nca to-3pn Mur7020nca To-3pn 200V 70a 英文版 Mur7020nca 技术规格书 Rev. 1.1.pdf
-85a -60V režim vylepšení P-kanálu Power MOSFET DTD125P06LA TO-252B DTD125P06LA TO-252B -60V -85a Zařízení+dtd125p06la+specifikace+rev.1.0.pdf
112a 68V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DH100N06 TO-220C DH100N06 TO-220C 68v 112a DH100N06_DATASHEET_V3.0.pdf
Režim vylepšení n-kanálu Power MOSFET 4A 1500V DH4N150B TO-247 DH4N150B TO-247 1500V 4a 英文版 DH4N150B 技术规格书 .pdf
Rychlé zotavení diody 80a 200V mur80fu20dcs Mur80FU20DCS
Režim vylepšení P-kanálu Power MOSFET 40A 100V DH100P40D TO-252B DH100P40D TO-252B -100V -40a Zařízení DH100P40D Specification.pdf
100A 30V N-CANNEL REŽIMEM POWER MOSFET 30H10/30H10F/30H10E/30H10B/30H10K 30H10/30H10F/30H10E/30H10B/30H10K
60a 600V Fast Recovery Diode MUR60FU60FCT TO-3PF Mur60FU60FCT To-3pf 600V 60a 英文版 Mur60FU60FCT 技术规格书 .pdf
30A 650V Trenchstop Izolovaná brána Bipolární tranzistor DGF30F65M2 TO-220F DGF30F65M2 TO-220F 650V 30a _Datasheet.pdf
2A 650V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET D2N65 TO-252B D2N65 TO-252B 650V 2a 英文版 D2n65 技术规格书 .pdf
60A 650V Trenchstop Izolovaná brána Bipolární tranzistor DGC60F65M TO-247 DGC60F65M TO-247 650V 60a _Datasheet-126.pdf
16A 650V N-Channel Super Junction Power MOSFET DHSJ21N65Z PDFN4 (8*8) DHSJ21N65Z PDFN4 (8*8) 650V 16a Donghai dhsj21n65z Datasheet V1.0 (1) .pdf
50A 650V Trenchstop Izolovaná brána Bipolární tranzistor G50T65LBBW TO-247 G50T65LBBW TO-247 650V 50a _Datasheet (1) (1) .pdf
10.6a 650V N-Channel Super Junction Power MOSFET DJF380N65T TO-220F DJF380N65T TO-220F 650V 10.6a Zařízení DJF380N65T Specifikace Rev.1.0.pdf
80a 1200V Fast Recovery Diode Mur80120 TO-247-2L Mur80120 TO-247-2L 1200V 80a 英文版 Mur80120 技术规格书 .pdf
36A 1200V N-Channel SIC Power MOSFET DCCF080M120A2 TO-247-4L DCCF080M120A2 To-247-4L 1200V 36a Zařízení DCC080M120A Specifikace.pdf

Video produktu

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zaregistrujte se do našeho zpravodaje
  • Připravte se na budoucnost
    Zaregistrujte se do našeho zpravodaje a získejte aktualizace přímo do vaší doručené pošty
    Předložit
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by Leadong.com