未命名(1)(8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty
Model:
Balík:
PROTI:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ ŘADY:

Všechny produkty

Obrázek Model Balení V A Technický list Podrobnosti Poptávka Přidat do košíku
DSG031N10N3 TO-220C DSG031N10N3
DSE022N10N3 TO-263 DSE022N10N3
105A 40V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH025N04P DFN5X6 DH025N04P DFN5*6-8 40V 130A Specifikace zařízení DH025N04.pdf
20A 200V LOW VF Schottkyho bariérová dioda MBRF20R200CT TO-220F MBRF20R200CT TO-220F 200V 20A 英文版MBR20R200CT技术规格书.pdf
25A 100V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHS250N10D TO-252B DHS250N10D TO-252B 100V 25A Zařízení+DHS250N10D+Specifikace+Rev1.0.pdf
90A 80V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHD80N08 TO-252B DHD80N08 TO-252B 80V 90A Specifikace zařízení DHD80N08.pdf
-30A -100V Režim vylepšení P-kanálu Power MOSFET DH100P30C TO-220C DH100P30C TO-220C -100V -30A Zařízení DH100P30CB1Q Specifikace.pdf
NPN Epitaxial Silicon Transistor 2SD882 TO-126 2SD882 TO-126 40V 3A 英文版D882技术规格书.pdf
80A 400V Dioda rychlého obnovení MUR80FU40NCT TO-3PN MUR80FU40NCT TO-3PN 400V 80A 英文版 MUR80FU40NCT技术规格书REV1.3.pdf
60A 200V SchottkyBarrierDiode MBR60200CT TO-220C MBR60200CT TO-220C 200V 60A 英文版MBR60200CT技术规格书.pdf
18A 1200V N-channel SIC Power MOSFET DCC160M120G1 TO-247-3L DCC160M120G1 TO-247 1200V 18A DCC160M120G1&DCCF160M120G1_Datasheet_V1.0.pdf
10A 400V N-kanálový režim vylepšení výkonu MOSFET 740 TO-220C 740 TO-220C 400V 10A Specifikace zařízení 740.pdf
100A 40V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHS021N04P DFN5X6 DHS021N04P DFN5X6 40V 100A Donghai DHS021N04P DataSheet V3.0.pdf
120A 80V N-kanálový režim vylepšení výkonu MOSFET DSG053N08N3 DSG053N08N3 TO-220C 80V 120A DSG053N08N3&DSE051N08N3_Datasheet_V1.0.pdf
20mΩ 650V N-kanál SiC Power MOSFET DCCF020M65G2 DCCF020M65G2 TO-247-4L 650V 92A DCC020M65G2&DCCF020M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
170A 100V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DSG030N10N3 TO-220C DSG030N10N3 TO-220C 100V 170A DSG030N10N3&DSE028N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
140A 150V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DSG070N15NA TO-220C DSG070N15NA TO-220C 150V 140A  DSG070N15NA_DataSheet_V1.0.pdf
30A 600V Dioda rychlého obnovení MUR3060NCT TO-3PN MUR3060NCT TO-3PN 600V 30A 英文版MUR3060NCT技术规格书REV1.0.pdf
30mΩ 1200V N-kanál SiC Power MOSFET DCC030M120G2 TO-247-3L DCC030M120G2 TO-247 1200V 68A DCC030M120G2_Datasheet_V1.0.pdf
5A 1700V N-channel SIC Power MOSFET DCCF1K0M170G1 TO-247-4L DCCF1K0M170G1

Video o produktu

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Přihlaste se k odběru našeho newsletteru
  • připravte se na budoucí
    přihlášení k odběru našeho newsletteru, abyste dostávali aktualizace přímo do vaší schránky
    Předložit
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com