未命名 (1) (8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty
Model:
Balík:
PROTI:
A:
Vybrané produktové řady:

Všechny produkty

obrázku modelu Balíček V a o datovém listu podrobnosti dotaz Přidat do koše
-140a -60V režim vylepšení P-kanálu Power MOSFET DTG050P06LA TO-220C DTG050P06LA TO-220C -60V -140a Zařízení+DTG050P06LA+Specifikace+Rev.1.0.pdf
170a 40V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DHS020N04P DFN5*6 DHS020N04P DFN5*6-8 40V 170a Zařízení DHS020N04P Specifikace Rev.2.0.pdf
180a 100v n-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DSE026N10NA TO-263 DSE026N10NA TO-263 100v 180a Zařízení+DSE026N10NA & DSG028N10NA+Specifikace+Rev.1.0.pdf
75A 1200V Trenchstop Izolovaná brána Bipolární tranzistor DGC75F120M2 TO-247Plus DGC75F120M2 To-247plus 1200V 75a _Datasheet-V1.2.pdf
12A 60V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET D12N06 TO-252 D12N06 TO-252B 60V 12a Specifikace D12N06 (TO-252B) .pdf
40A 1200V Trenchstop Izolovaná brána Bipolární tranzistor G40N120D TO-247 G40N120D TO-247 1200V 40a G40N120D - Datasheet.pdf
60A 650V Izolovaná brána Bipolární tranzistor G60T65D TO-3PN DHG60T65D To-3pn 650V 60a Zařízení DHG60T65D Specifikace (TO-3PN) Rev1.2.pdf
175a 80V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DHS035N88 TO-220C DHS035N88 TO-220C 80V 175a DHS035N88 & DHS035N88E & DHS035N88I_DATASHEET_V2.0.pdf
15a 40V režim vylepšení P-kanálu Power MOSFET AOD413 TO-252B AOD413 TO-252B -40V -30a AOD413 & AOB413-B2E_DATASHEET_V1.0.PDF
80a 40V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DH045N04P DFN5X6 BALENÍ DH045N04P DFN5X6 40V 80a Zařízení DH045N04P Specifikace (1) .pdf
36A 1200V N-Channel SIC Power MOSFET DCC080M120A TO-247-3L DCC080M120A TO-247 1200V 36a Zařízení DCC080M120A Specifikace.pdf
Sic Schottky Barier Diode 5A 1200V DCGT05D120G3 DCGT05D120G3
54a 30V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DH060N03R DFN3 × 3-8L DH060N03R DFN3X3 30v 54a Zařízení DH060N03R Specifikace.pdf
Režim vylepšení n-kanálu Power MOSFET 100A 68V DH060N07B TO-251B DH060N07B TO-251B 68v 100a Zařízení DH060N07D Specifikace.pdf
90a 80V režim vylepšení n-kanálu Power MOSFET DHD80N08 TO-252B DHD80N08 TO-252B 80V 90a Zařízení DHD80N08 Specifikace.pdf
18a 100V režim vylepšení P-kanálu Power MOSFET DH100P18D TO-252B DH100P18D TO-252B 100v 18a Zařízení DH100P18 B79 Specifikace.pdf
NPN Epitaxiální křemíkový tranzistor 2S882 TO-126 2SD882 TO-126 40V 3a 英文版 D882 技术规格书 .pdf
96a 30V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DH030N03P DFN5X6 DH030N03P DFN5X6-8L 30v 96a Zařízení DH030N03P Specification.pdf
17A 650V N-Channel Super Junction Power MOSFET DHSJ17N65 TO-220C DHSJ17N65 TO-220C 650V 17a Zařízení dhsj17n65 specifikace.pdf
7.6a 650V N-Channel Super Junction Power MOSFET DHFSJ8N65 TO-220F DHFSJ8N65 TO-220F 650V 7.6a Dhfsj8n65_dateSheet_v1.0.pdf

Video produktu

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zaregistrujte se do našeho zpravodaje
  • Připravte se na budoucnost
    Zaregistrujte se do našeho zpravodaje a získejte aktualizace přímo do vaší doručené pošty
    Předložit
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by Leadong.com