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130A 40V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH025N04D TO-252B DH025N04D PARA-252B 40V 130A Especificação do dispositivo DH025N04.pdf
MOSFET de potência do modo de aprimoramento do canal P 140A 30V DH060P03/DH060P03F/DH060P03E/DH060P03B/DH060P03D
25A 1200V Trenchstop isolou o transistor bipolar DGC25H120M2 TO-247 da porta DGC25H120M2 PARA-247 1200 V 25A
40A 60V Modo de aprimoramento de canal P MOSFET DH400P06 TO-220C DH400P06 PARA-220C 60V 40A Especificação do dispositivo DH400P06.pdf
Modo de aprimoramento de canal N Potência MOSFET 100A 68V DH060N07B TO-251B DH060N07B TO-251B 68 V 100A Especificação do dispositivo DH060N07D.pdf
10A 500V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET F10N50 TO-220F F10N50 TO-220F 500 V 10A 英文版F10N50技术规格书(1).pdf
Modo de aprimoramento de canal N Potência MOSFET 120A 85V DHS045N88 TO-220C DHS045N88 PARA-220C 85 V 120A Especificação do dispositivo DHS045N88-Rev.1.0.pdf
180A 60V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHS025N06E TO-263 DHS025N06E PARA-263 60V 180A  DHS025N06&DHS025N06E_DataSheet_V2.0.pdf
20A 650V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET 20N65D TO-3P 20N65D TO-3PN 650 V 20A 英文版20N65D技术规格书REV1.0.pdf
10A 45V SchottkyBarrierDiode MBR1045CT TO-252 MBR1045CT PARA-252B 45V 10A 英文版MBR1045CT series技术规格书.pdf
8A 600V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET 8N60 TO-220C 8N60 PARA-220C 600 V 8A 英文版8N60技术规格书.pdf
-50A -40V Modo de aprimoramento de canal P MOSFET DH160P04D TO-252B DH160P04D PARA-252B -40V -50A DH160P04D_Datasheet_V1.0.pdf
10A 100V SchottkyBarrierDiode MBR10100CT TO-220M MBR10100CT PARA-220M 100 V 10A 英文版MBR10100CT技术规格书.pdf
4A 650V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET B4N65 TO-251 B4N65 PARA-251 650 V 4A 英文版B4N65X技术规格书X(1).pdf
8A 500V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET 8N50 TO-220C 8N50 PARA-220C 500 V 8A 英文版8N50技术规格书.pdf
9A 650V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET D9N65 TO-252B D9N65 PARA-252B 650 V 9A 英文版D9N65技术规格书(1).pdf
100A 40V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHS008N04P DFN5x6 DHS008N04P DFN5X6 40V 100A DHS008N04P_Datasheet_V1.0.pdf
120A 100V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH10H037R TO-220C DH10H037R PARA-220C 100 V 120A Especificação do dispositivo DH10H037R.pdf
120A 98V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHS046N10 TO-220C DHS046N10 PARA-220C 98 V 120A Especificação do dispositivo DHS046N10.pdf
112A 68V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH100N06 TO-220C DH100N06 PARA-220C 68 V 112A DH100N06_Datasheet_V3.0.pdf

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