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MOSFET di potenza SIC a canale N 5A 1700 V DCCF1K0M170G1 TO-247-4L DCCF1K0M170G1
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale P da 140 A 30 V DH060P03/DH060P03F/DH060P03E/DH060P03B/DH060P03D
Transistor epitassiale al silicio NPN 13003G5 TO-126 13003G5
Transistor bipolare a cancello isolato Trenchstop 25A 1200V DGC25H120M2 TO-247 DGC25H120M2 TO-247 1200 V 25A
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale P da 40 A 60 V DH400P06 TO-220C DH400P06 TO-220C 60 V 40A Dispositivo DH400P06 Specifiche.pdf
MOSFET di potenza modalità potenziamento canale N 100A 68V DH060N07B TO-251B DH060N07B TO-251B 68V 100A Dispositivo DH060N07D Specifiche.pdf
MOSFET di potenza F10N50 TO-220F in modalità potenziamento canale N da 10 A 500 V F10N50 TO-220F 500 V 10A 英文版F10N50技术规格书(1).pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento a canale N 120A 85V DHS045N88 TO-220C DHS045N88 TO-220C 85 V 120A Specifiche del dispositivo DHS045N88-Rev.1.0.pdf
MOSFET di potenza DHS025N06E TO-263 in modalità potenziamento canale N da 180 A 60 V DHS025N06E TO-263 60 V 180A Donghai_ DHS025N06&DHS025N06E_DataSheet_V2.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziata a canale N da 20 A 650 V 20N65D TO-3P 20N65D TO-3PN 650 V 20A 英文版20N65D技术规格书REV1.0.pdf
Diodo barriera Schottky 10A 45V MBR1045CT TO-252 MBR1045CT TO-252B 45 V 10A 英文版MBR1045CT series技术规格书.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 8 A 600 V 8N60 TO-220C 8N60 TO-220C 600 V 8A 英文版8N60技术规格书.pdf
-50A -40V MOSFET di potenza modalità potenziamento canale P DH160P04D TO-252B DH160P04D TO-252B -40 V -50A Donghai_DH160P04D_Datasheet_V1.0.pdf
Diodo barriera Schottky 10A 100V MBR10100CT TO-220M MBR10100CT TO-220M 100 V 10A 英文版MBR10100CT技术规格书.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 4 A 650 V B4N65 TO-251 B4N65 TO-251 650 V 4A 英文版B4N65X技术规格书X(1).pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 8 A 500 V 8N50 TO-220C 8N50 TO-220C 500 V 8A 英文版8N50技术规格书.pdf
MOSFET di potenza D9N65 TO-252B in modalità potenziamento canale N da 9 A 650 V D9N65 TO-252B 650 V 9A 英文版D9N65技术规格书(1).pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 100 A 40 V DHS008N04P DFN5x6 DHS008N04P DFN5X6 40 V 100A Donghai_DHS008N04P_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 120 A 100 V DH10H037R TO-220C DH10H037R TO-220C 100 V 120A Specifiche del dispositivo DH10H037R.pdf
MOSFET di potenza DHS046N10 TO-220C in modalità potenziamento canale N da 120 A 98 V DHS046N10 TO-220C 98 V 120A Specifiche del dispositivo DHS046N10.pdf

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