未命名 (1) (8) (1)
Poartă
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Sunteți aici: Acasă » Produse
Model:
Pachet:
V:
O:
Linii de produse selectate:

Toate produsele

de imagine modelului Pachetul v o fișă de date detalii Adăugare la coș
-140A -60V Mod de îmbunătățire a canalului P Power MOSFET DTG050P06LA TO-220C DTG050P06LA Până la 220c -60V -140a Dispozitiv+DTG050P06LA+Specificație+Rev.1.0.pdf
170A 40V Mod de îmbunătățire a canalelor N Power MOSFET DHS020N04P DFN5*6 DHS020N04P Dfn5*6-8 40V 170a Dispozitiv DHS020N04P Specificații Rev.2.0.pdf
Mod de îmbunătățire a canalelor N-canal 180A 100A MOSFET DSE026N10NA TO-263 DSE026N10NA Până la 263 100V 180a Dispozitiv+DS
75A 1200V Tranchstop Poarta izolată Transistor bipolar DGC75F120M2 TO-247PLUS DGC75F120M2 To-247plus 1200V 75a _DATASHEET-V1.2.pdf
12a 60V N-canal Mod de îmbunătățire MOSFET D12N06 TO-252 D12N06 TO-252B 60V 12a Dispozitiv D12N06 Specificații (TO-252B) .pdf
40A 1200V Trenchstop Izsould Gate Transistor bipolar G40N120D TO-247 G40N120D Până la 247 1200V 40a G40N120D - DATESHEET.PDF
60A 650V Poartă izolată Transistor bipolar G60T65D TO-3PN DHG60T65D La-3pn 650V 60a Dispozitiv DHG60T65D Specificație (TO-3PN) Rev1.2.pdf
175A 80V Mod de îmbunătățire a canalelor N MOSFET DHS035N88 TO-220C DHS035N88 Până la 220c 80V 175a DHS035N88 & DHS035N88E & DHS035N88I_DATASHEET_V2.0.pdf
15A 40V P-Channel Mod de îmbunătățire MOSFET AOD413 TO-252B AOD413 TO-252B -40V -30a AOD413 & AOB413-B2E_DATASHEET_V1.0.pdf
Mod de îmbunătățire a canalelor N0A 40V 40V N-Cannel Power MOSFET DH045N04P DFN5X6 DH045N04P Dfn5x6 40V 80A Dispozitiv DH045N04P Specificație (1) .pdf
36A 1200V N-Channel SIC Power MOSFET DCC080M120A TO-247-3L DCC080M120A Până la 247 1200V 36a Dispozitiv DCC080M120A Specificații.pdf
Sic Schottky Barrier Diode 5A 1200V DCGT05D120G3 DCGT05D120G3
54A 30V Mod de îmbunătățire a canalelor N MOSFET DH060N03R DFN3 × 3-8L DH060N03R Dfn3x3 30V 54a Dispozitiv DH060N03R Specificații.pdf
Mod de îmbunătățire a canalelor N MOSFET 100A 68V DH060N07B TO-251B DH060N07B TO-251B 68V 100a Dispozitiv DH060N07D Specificații.pdf
90A 80V N-canal Mod de îmbunătățire MOSFET DHD80N08 TO-252B DHD80N08 TO-252B 80V 90a Dispozitiv DHD80N08 Specificații.pdf
Modul de îmbunătățire a canalelor 18a 100V POWER MOSFET DH100P18D TO-252B DH100P18D TO-252B 100V 18A Dispozitiv DH100P18 B79 Specificații.pdf
NPN Tranzistor de siliciu epitaxial 2SD882 TO-126 2SD882 TO-126 40V 3A 英文版 D882 技术规格书 .pdf
96A 30V Mod de îmbunătățire a canalelor N MOSFET DH030N03P DFN5X6 DH030N03P Dfn5x6-8l 30V 96a Dispozitiv DH030N03P Specificații.pdf
17A 650V N-Channel Super Junction Power MOSFET DHSJ17N65 TO-220C DHSJ17N65 Până la 220c 650V 17a Dispozitiv DHSJ17N65 Specificații.pdf
7.6A 650V N-canal Super Junction Power MOSFET DHFSJ8N65 TO-220F DHFSJ8N65 TO-220F 650V 7.6a Dhfsj8n65_datesheet_v1.0.pdf

Videoclip de produs

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Înscrieți -vă la newsletter -ul nostru
  • Pregătește -te pentru viitorul
    înregistrare pentru newsletter -ul nostru pentru a primi actualizări direct la căsuța de e -mail
    Depune
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by Leadong.com