未命名(1)(8) (1)
Poartă
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Sunteți aici: Acasă » Produse
Model:
Pachet:
V:
O:
LINII DE PRODUSE SELECTATE:

Toate produsele

Imagine Model Pachet V A Fișă tehnică Detalii Cerere Adaugă la coș
63A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DH132N06/DH132N06F/DH132N06E/DH132N06B/DH132N06D
Tranzistor de siliciu epitaxial NPN 13003G5 TO-126 13003G5
140A 30V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET DH060P03/DH060P03F/DH060P03E/DH060P03B/DH060P03D
Diodă barieră Schottky SiC 6A 650V DCGT06D65G4 TO-220-2L DCGT06D65G4 TO-220-2L 650V 6A DCGT06D65G4_Datasheet_V1.0.pdf
12A 100V N-canal Mod de îmbunătățire MOSFET de putere DH1K1N10D TO-252B DH1K1N10D TO-252B 100V 12A Specificația dispozitivului DH1K1N10.pdf
80A 75V N-canal Mod de îmbunătățire MOSFET de putere D7509 TO-220C D7509 TO-220C 75V 80A Specificația dispozitivului D7509.pdf
Modul de îmbunătățire canal N Putere MOSFET 180A 80V DH8004 TO-220C DH8004 TO-220C 80V 180A Specificația dispozitivului DH8004 (2).pdf
60A 650V Tranzistor bipolar de poartă izolată Trenchstop DGC60F65M TO-247 DGC60F65M TO-247 650V 60A _datasheet-12.26.pdf
19A 80V N-canal Mod de îmbunătățire MOSFET de putere DH300N08D TO-252B DH300N08D TO-252B 80V 19A Specificația dispozitivului DH300N08.pdf
61A 60V N-canal Mod de îmbunătățire MOSFET de putere DH16N06 TO-220C DH16N06 TO-220C 60V 61A Specificația dispozitivului DH16N06.pdf
-30A -60V mod de îmbunătățire canal P MOSFET de putere DH400P06LD TO-252B DH400P06LD TO-252B -60V -30A DH400P06LD&DH400P06LB_Fișă de date_V2.0.pdf
240A 100V N-canal Mod îmbunătățire MOSFET de putere DHS025N10 TO-220C DHS025N10 TO-220C 100V 240A Specificația dispozitivului DHS025N10.pdf
16A 400V diodă de recuperare rapidă MUR1640CT TO-220M MUR1640CT TO-220M 400V 16A 英文版MUR1640CT技术规格书REV1.0.pdf
7A 700V N-canal Mod de îmbunătățire MOSFET de putere F7N70 TO-220F F7N70 TO-220F 700V 7A 英文版F7N70技术规格书.pdf
120A 80V N-canal Mod de îmbunătățire MOSFET de putere DSG047N08N3/DSE047N08N3 TO-220C &TO-263 DSG047N08N3 TO-220C 80V 120A DSG047N08N3&DSE047N08N3_Fișă de date_V1.0.pdf
Dioda SchottkyBarrier 20A 100V MBRA20100CT TO-220M MBRA20100CT
Modul de îmbunătățire canal N MOSFET de putere 4A 1500V DH4N150B TO-247 DH4N150B TO-247 1500V 4A 英文版DH4N150B技术规格书.pdf
300A 40V N-canal Mod de îmbunătățire MOSFET de putere DHS010N04U PACHET TOLL DHS010N04U TAXĂ 40V 300A DHS010N04U_Fișă de date_V1.0.pdf
MOSFET de putere SIC 36A 1200V N-canal DCC080M120A TO-247-3L DCC080M120A TO-247 1200V 36A Specificația dispozitivului DCC080M120A.pdf
210A 60V N-canal Mod de îmbunătățire MOSFET de putere N6005/FN6005/EN6005 N6005 TO-220C 60V 180A Specificația dispozitivului N6005B40.pdf

Video de produs

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Înscrieți-vă pentru buletinul nostru informativ
  • pregătiți-vă pentru viitorul
    înscriere la buletinul nostru informativ pentru a primi actualizări direct în căsuța dvs. de e-mail
    Trimiteți
Drepturi de autor © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Tehnologie de leadong.com