未命名 (1) (8) (1)
värav
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olete siin: Kodu » Tooted
Mudel:
Pakett:
V:
V:
VALITUD TOOTE SARJAD:

Kõik tooted

Pilt Mudelipakett V A Andmelehe detailid Päring ostukorvi Lisa
63A 60V N-kanaliga laiendusrežiimi võimsus MOSFET DH132N06/DH132N06F/ DH132N06E/DH132N06B/DH132N06D
Epitaksiaalne ränitransistor NPN 13003G5 TO-126 13003G5
140A 30V P-kanali täiustusrežiimi võimsus MOSFET DH060P03/DH060P03F/DH060P03E/DH060P03B/DH060P03D
6A 650 V SiC Schottky tõkkediood DCGT06D65G4 TO-220-2L DCGT06D65G4 TO-220-2L 650V 6A DCGT06D65G4_Datasheet_V1.0.pdf
12A 100V N-kanali laiendusrežiimi toide MOSFET DH1K1N10D TO-252B DH1K1N10D TO-252B 100V 12A Seadme DH1K1N10 spetsifikatsioon.pdf
80A 75V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET D7509 TO-220C D7509 KUNI -220C 75V 80A Seadme D7509 spetsifikatsioon.pdf
N-kanali täiustusrežiimi toide MOSFET 180A 80V DH8004 TO-220C DH8004 KUNI -220C 80V 180A Seadme DH8004 spetsifikatsioon (2).pdf
60A 650V kraavitõkkega isoleeritud väravaga bipolaarne transistor DGC60F65M TO-247 DGC60F65M TO-247 650V 60A _datasheet-12.26.pdf
19A 80V N-kanali laiendusrežiimi toide MOSFET DH300N08D TO-252B DH300N08D TO-252B 80V 19A Seadme DH300N08 spetsifikatsioon.pdf
61A 60V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET DH16N06 TO-220C DH16N06 KUNI -220C 60V 61A Seadme DH16N06 spetsifikatsioon.pdf
-30A -60V P-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET DH400P06LD TO-252B DH400P06LD TO-252B -60V -30A DH400P06LD&DH400P06LB_Datasheet_V2.0.pdf
240A 100V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET DHS025N10 TO-220C DHS025N10 KUNI -220C 100V 240A Seadme DHS025N10 spetsifikatsioon.pdf
16A 400V kiire taastav diood MUR1640CT TO-220M MUR1640CT TO-220M 400V 16A 英文版MUR1640CT技术规格书REV1.0.pdf
7A 700 V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET F7N70 TO-220F F7N70 TO-220F 700V 7A 英文版F7N70技术规格书.pdf
120A 80V N-kanali laiendusrežiimi toide MOSFET DSG047N08N3/DSE047N08N3 TO-220C &TO-263 DSG047N08N3 KUNI -220C 80V 120A DSG047N08N3&DSE047N08N3_Datasheet_V1.0.pdf
20A 100V Schottky BarrierDiode MBRA20100CT TO-220M MBRA20100CT
N-kanali täiustusrežiimi toide MOSFET 4A 1500 V DH4N150B TO-247 DH4N150B TO-247 1500V 4A 英文版DH4N150B技术规格书.pdf
300A 40V N-kanali täiustusrežiim Toide MOSFET DHS010N04U TASUPAKETT DHS010N04U TOLL 40V 300A DHS010N04U_Datasheet_V1.0.pdf
36A 1200V N-kanaliga SIC Power MOSFET DCC080M120A TO-247-3L DCC080M120A TO-247 1200V 36A Seadme DCC080M120A spetsifikatsioon.pdf
210A 60V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET N6005/FN6005/EN6005 N6005 KUNI -220C 60V 180A Seadme N6005B40 spetsifikatsioon.pdf

Tootevideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Liituge meie uudiskirjaga
  • valmistuge tulevikuks
    registreeruge meie uudiskirja saamiseks, et saada värskendused otse oma postkasti
    Esita
Autoriõigus © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd tehnoloogia autor leadong.com