未命名(1)(8) (1)
πύλη
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Είστε εδώ: Σπίτι » Προϊόντα
Μοντέλο:
Πακέτο:
V:
ΕΝΑ:
ΕΠΙΛΕΓΜΕΝΕΣ ΓΡΑΜΜΕΣ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ:

Όλα τα Προϊόντα

Image Model Package V A φύλλου δεδομένων Στοιχεία Ερώτηση Προσθήκη στο καλάθι
12A Λειτουργία βελτίωσης καναλιών N 100 V Power MOSFET DH850N10D TO-252B DH850N10D TO-252B 100V 12Α Προδιαγραφές συσκευής DH850N10D (1).pdf
0,8A 600V Λειτουργία βελτίωσης καναλιών N Power MOSFET B1N60 TO-251 B1N60 TO-251B 600V 0,8Α
500V/5A Half-Bridge IPM DPQA05HB50MF SOP-11 DPQA05HB50MF SOP-11 500V 5Α DPQA05HB50MF_datasheet_V1.0.pdf
310A 20V Λειτουργία βελτίωσης καναλιών N Power MOSFET DH009N02 TO-220C DH009N02 ΕΩΣ-220C 20V 310Α Προδιαγραφές συσκευής DH009N02.pdf
60A 300V δίοδος γρήγορης ανάκτησης MUR6030NCA TO-3PN MUR6030NCA TO-3PN 300V 60Α 英文版 MUR6030NCA 技术规格书.pdf
60A 30V Λειτουργία βελτίωσης καναλιών N Power MOSFET DH081N03D TO-252B DH081N03D TO-252B 30V 60Α Προδιαγραφές συσκευής DH081N03.pdf
Μονάδα μισής γέφυρας 450A 1200V IGBTMmodule DGB450H120L2T 62mm DGB450H120L2T 62 χιλιοστά 1200V 450Α DGB450H120L2T-REV1.1.pdf
30A 30V Λειτουργία βελτίωσης καναλιών N Power MOSFET DH081N03R DFN3*3-8 DH081N03R DFN3*3-8 30V 30Α Προδιαγραφές συσκευής DH081N03R.pdf
25A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 25N10 TO-220C DH025N03 ΕΩΣ-220C 30V 150Α Προδιαγραφές συσκευής DH025N03.pdf
120A 30V Λειτουργία βελτίωσης καναλιών N Power MOSFET DH025N03P DFN5*6 DH025N03P DFN5X6 30V 120Α Συσκευή DH025N03P Προδιαγραφές(1)(1).pdf
60A 68V Λειτουργία βελτίωσης καναλιών N Power MOSFET DH105N07P DFN5*6-8 DH105N07P DFN5*6-8 70V 56Α DH105N07P_Datasheet_V1.0 (1).pdf
TRIAC series 600V/800V 4A BT134-600E TO-126 BT134-600E TO-126 600V/800V 4Α 英文版BT134-126技术规格书.pdf
30A 60V Λειτουργία βελτίωσης καναλιών N Power MOSFET DHDZ24 TO-252B DHDZ24 TO-252B 60V 30Α Προδιαγραφές συσκευής DHZ24B31.pdf
10A 400V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET F740 TO-220F F740 TO-220F 400V 10Α Device 740 Specification.pdf
20A 100V SchottkyBarrierDiode MBR20100CT TO-252 MBR20100CT TO-252 100V 20Α 英文版MBR20100CT技术规格书.pdf
320A 30V Λειτουργία βελτίωσης καναλιών N Power MOSFET DH012N03D TO-252B DH012N03D TO-252B 30V 320Α Προδιαγραφές συσκευής DH012N03.pdf
Λειτουργία βελτίωσης N καναλιών Power MOSFET 180A 40V DHS020N04D TO-252B DHS020N04D TO-252B 40V 180Α Προδιαγραφές συσκευής DHS020N04D.pdf
320A 30V Λειτουργία βελτίωσης καναλιών N Power MOSFET DH012N03 TO-220C DH012N03 ΕΩΣ-220C 30V 320Α Προδιαγραφές συσκευής DH012N03.pdf
-30A -60V Λειτουργία βελτίωσης καναλιού P Power MOSFET DH300P06D TO-252B DH300P06D TO-252B -60V -30Α Προδιαγραφές συσκευής DH300P06.pdf
35A Λειτουργία βελτίωσης καναλιών N 120 V Power MOSFET DSD270N12N3 TO-252B DSD270N12N3 TO-252B 120V 35Α Συσκευή+DSD270N12N3+Specification+Rev.1.0.pdf

Βίντεο προϊόντος

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Εγγραφείτε για το ενημερωτικό μας δελτίο
  • ετοιμαστείτε για το μέλλον
    εγγραφείτε στο ενημερωτικό μας δελτίο για να λαμβάνετε ενημερώσεις κατευθείαν στα εισερχόμενά σας
    Υποτάσσομαι
Πνευματικά δικαιώματα © 2023​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com