未命名(1)(8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty
Model:
Balík:
PROTI:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ ŘADY:

Všechny produkty

Obrázek Model Balení V A Technický list Podrobnosti Poptávka Přidat do košíku
Výkonový MOSFET 63A 60V N-channel Enhancement Mode DH132N06/DH132N06F/ DH132N06E/DH132N06B/DH132N06D
Epitaxní silikonový tranzistor NPN 13003G5 TO-126 13003G5
Výkonový MOSFET 140A 30V P-channel Mode Enhancement DH060P03/DH060P03F/DH060P03E/DH060P03B/DH060P03D
6A 650V SiC Schottkyho bariérová dioda DCGT06D65G4 TO-220-2L DCGT06D65G4 TO-220-2L 650V 6A DCGT06D65G4_Datasheet_V1.0.pdf
12A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DH1K1N10D TO-252B DH1K1N10D TO-252B 100V 12A Specifikace zařízení DH1K1N10.pdf
80A 75V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET D7509 TO-220C D7509 TO-220C 75V 80A Specifikace zařízení D7509.pdf
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 180A 80V DH8004 TO-220C DH8004 TO-220C 80V 180A Specifikace zařízení DH8004 (2).pdf
60A 650V Trenchstop Izolovaná brána Bipolární tranzistor DGC60F65M TO-247 DGC60F65M TO-247 650V 60A _datasheet-12.26.pdf
19A 80V N-kanálový režim vylepšení napájení MOSFET DH300N08D TO-252B DH300N08D TO-252B 80V 19A Specifikace zařízení DH300N08.pdf
61A 60V N-kanálový režim vylepšení napájení MOSFET DH16N06 TO-220C DH16N06 TO-220C 60V 61A Specifikace zařízení DH16N06.pdf
-30A -60V P-kanál v režimu vylepšení výkonu MOSFET DH400P06LD TO-252B DH400P06LD TO-252B -60V -30A DH400P06LD&DH400P06LB_Datasheet_V2.0.pdf
240A 100V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHS025N10 TO-220C DHS025N10 TO-220C 100V 240A Specifikace zařízení DHS025N10.pdf
16A 400V Dioda rychlé obnovy MUR1640CT TO-220M MUR1640CT TO-220M 400V 16A 英文版MUR1640CT技术规格书REV1.0.pdf
7A 700V N-kanálový režim vylepšení výkonu MOSFET F7N70 TO-220F F7N70 TO-220F 700V 7A 英文版F7N70技术规格书.pdf
120A 80V N-kanálový režim vylepšení výkonu MOSFET DSG047N08N3/DSE047N08N3 TO-220C &TO-263 DSG047N08N3 TO-220C 80V 120A DSG047N08N3&DSE047N08N3_Datasheet_V1.0.pdf
20A 100V SchottkyBarrierDiode MBRA20100CT TO-220M MBRA20100CT
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 4A 1500V DH4N150B TO-247 DH4N150B TO-247 1500V 4A 英文版DH4N150B技术规格书.pdf
300A 40V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHS010N04U TOLL BALÍČEK DHS010N04U MÝTNÉ 40V 300A DHS010N04U_Datasheet_V1.0.pdf
36A 1200V N-channel SIC Power MOSFET DCC080M120A TO-247-3L DCC080M120A TO-247 1200V 36A Specifikace zařízení DCC080M120A.pdf
210A 60V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET N6005/FN6005/EN6005 N6005 TO-220C 60V 180A Specifikace zařízení N6005B40.pdf

Video o produktu

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Přihlaste se k odběru našeho newsletteru
  • připravte se na budoucí
    přihlášení k odběru našeho newsletteru, abyste dostávali aktualizace přímo do vaší schránky
    Předložit
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com