未命名(1)(8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty
Model:
Balík:
PROTI:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ ŘADY:

Všechny produkty

Obrázek Model Balení V A Technický list Podrobnosti Poptávka Přidat do košíku
7A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 7N65 TO-220C 7N65 TO-220C 650V 7A 英文版7N65技术规格书.pdf
15A 650V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET 15N65 TO-220C 15N65 TO-220C 650V 15A
30A 60V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHZ24 TO-220C DHZ24 TO-220C 60V 30A Specifikace zařízení DHZ24B31.pdf
30A 650V Trenchstop Izolovaná brána Bipolární tranzistor DGF30F65M2 TO-220F DGF30F65M2 TO-220F 650V 30A _datasheet.pdf
110A 60V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH066N06E TO-263 DH066N06E TO-263 60V 110A Zařízení+DH066N06+Specifikace+Rev.2.0.pdf
18A 100V P-kanál v režimu vylepšení výkonu MOSFET DH100P18D TO-252B DH100P18D TO-252B 100V 18A Zařízení DH100P18 B79 Specifikace.pdf
17A 650V N-channel Super Junction Power MOSFET DHSJ17N65 TO-220C DHSJ17N65 TO-220C 650V 17A Specifikace zařízení DHSJ17N65.pdf
60A 300V Dioda rychlého obnovení MUR6030NCS TO-3PN MUR6030NCS TO-3PN 300V 60A 英文版MUR6030NCS技术规格书.pdf
10A 45V Schottkyho bariérová dioda MBRF1045CT TO-220F MBRF1045CT TO-220F 45V 10A 英文版 série MBR1045CT技术规格书.pdf
600A 1200V Modul polovičního můstku DGB600H120L2T 62mm DGB600H120L2T 62 mm 1200V 600A DGB600H120L2T.pdf
110A 85V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHS055N85 TO-220C DHS055N85 TO-220C 85V 110A Specifikace zařízení DHS055N85.pdf
100V/2mΩ/281A N-MOSFET MÝTA DSU023N10N3 MÝTNÉ 100V 281A DSU023N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
10A 700V Rychlá obnovovací dioda MUR1070 TO-220-2L MUR1070 TO-220-2L 700V 10A 英文版MUR1070技术规格书.pdf
40A 600V Dioda rychlého obnovení MUR40FU60DCT TO-3PN MUR40FU60DCT TO-3PN 600V 40A 英文版MUR40FU60DCT技术规格书.pdf
10A 600V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET F10N60 TO-220F F10N60 TO-220F 600V 10A 英文版F10N60技术规格书.pdf
10A 700V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET F10N70 TO-220F F10N70 TO-220F 700V 10A 英文版F10N70技术规格书REV1.0.pdf
20A 200V SchottkyBarrierDiode MBRF20200CT TO-220F MBRF20200CT TO-220F 200V 20A 英文版MBRF20200CT技术规格书REV1.1.pdf
30A 45V LOW VF SchottkyBarrierDiode MBR30R45CTS TO-220C MBR30R45CTS TO-220C 45V 30A 英文版 série MBR30R45CTS技术规格书.pdf
180A 85V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHS020N88 TO-220C DHS020N88 TO-220C 85V 180A DHS020N88&DHS020N88E&DHS020N88I_Datasheet_V2.0.pdf
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 100A 30V DHD100N03 TO-252B DHD100N03 TO-252B 30V 100A Zařízení DH100N03 B13 Specifikace.pdf

Video o produktu

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Přihlaste se k odběru našeho newsletteru
  • připravte se na budoucí
    přihlášení k odběru našeho newsletteru, abyste dostávali aktualizace přímo do vaší schránky
    Předložit
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com