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MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 7 A 650 V 7N65 TO-220C 7N65 TO-220C 650 V 7A 英文版7N65技术规格书.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 15 A 650 V 15N65 TO-220C 15N65 TO-220C 650 V 15A
MOSFET di potenza DHZ24 TO-220C in modalità potenziamento canale N da 30 A 60 V DHZ24 TO-220C 60 V 30A Specifiche del dispositivo DHZ24B31.pdf
Transistor bipolare a cancello isolato Trenchstop 30A 650V DGF30F65M2 TO-220F DGF30F65M2 TO-220F 650 V 30A _scheda tecnica.pdf
MOSFET di potenza atteristici del dispositivo, test di affidabilità, test applicativi e analisi dei guasti. Donghai è un'impresa high-tech impegnata nello sviluppo, progettazione, confezionamento, test e vendita di dispositivi di potenza a semiconduttore e circuiti integrati. DH066N06E TO-263 60 V 110A Dispositivo+DH066N06+Specifiche+Rev.2.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale P da 18 A 100 V DH100P18D TO-252B DH100P18D TO-252B 100 V 18A Dispositivo DH100P18 B79 Specifiche.pdf
MOSFET di potenza a giunzione eccellente a canale N 17A 650V DHSJ17N65 TO-220C DHSJ17N65 TO-220C 650 V 17A Specifiche del dispositivo DHSJ17N65.pdf
Diodo a recupero rapido 60A 300V MUR6030NCS TO-3PN MUR6030NCS TO-3PN 300 V 60A 英文版MUR6030NCS技术规格书.pdf
Diodo barriera Schottky 10A 45V MBRF1045CT TO-220F MBRF1045CT TO-220F 45 V 10A 英文版MBR1045CT series技术规格书.pdf
Modulo mezzo ponte 600A 1200V DGB600H120L2T 62mm DGB600H120L2T 62 mm 1200 V 600A DGB600H120L2T.pdf
MOSFET di potenza DHS055N85 TO-220C in modalità potenziamento canale N da 110 A 85 V DHS055N85 TO-220C 85 V 110A Specifiche del dispositivo DHS055N85.pdf
100 V/2 mΩ/281 A N-MOSFET PEDAGGIO DSU023N10N3 PEDAGGIO 100 V 281A DSU023N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
Diodo a recupero rapido 10A 700V MUR1070 TO-220-2L MUR1070 TO-220-2L 700 V 10A 英文版MUR1070技术规格书.pdf
Diodo a recupero rapido 40A 600V MUR40FU60DCT TO-3PN MUR40FU60DCT TO-3PN 600 V 40A 英文版MUR40FU60DCT技术规格书.pdf
MOSFET di potenza F10N60 TO-220F in modalità potenziamento canale N da 10 A 600 V F10N60 TO-220F 600 V 10A 英文版F10N60技术规格书.pdf
MOSFET di potenza F10N70 TO-220F in modalità potenziamento canale N da 10 A 700 V F10N70 TO-220F 700 V 10A 英文版F10N70技术规格书REV1.0.pdf
Diodo barriera Schottky 20A 200V MBRF20200CT TO-220F MBRF20200CT TO-220F 200 V 20A 英文版MBRF20200CT技术规格书REV1.1.pdf
Diodo barriera Schottky 30A 45V BASSO VF MBR30R45CTS TO-220C MBR30R45CTS TO-220C 45 V 30A 英文版MBR30R45CTS series技术规格书.pdf
MOSFET di potenza DHS020N88 TO-220C in modalità potenziamento canale N da 180 A 85 V DHS020N88 TO-220C 85 V 180A DHS020N88&DHS020N88E&DHS020N88I_Datasheet_V2.0.pdf
MOSFET di potenza modalità potenziamento canale N 100A 30V DHD100N03 TO-252B DHD100N03 TO-252B 30 V 100A Dispositivo DH100N03 B13 Specifiche.pdf

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