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MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 20 A 650 V 20N65 TO-220C 20N65 TO-220C 650 V 20A 英文版20N65技术规格书AA9.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento a canale N 180A 100V DSG028N10NA TO-220C DSG028N10NA TO-220C 100 V 180A Dispositivo+DSE026N10NA&DSG028N10NA+Specifica+Rev.1.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 16 A 650 V F16N65 F16N65 TO-220F 650 V 16A 英文版F16N65技术规格书.pdf
Diodo barriera Schottky 60A 60V MBR6060CT TO-3PN MBR6060CT TO-3PN 60 V 60A 英文版MBR6060CT(3P,3PN,247)技术规格书.pdf
MOSFET di potenza DHD90N03 TO-252B in modalità potenziamento canale N da 90 A 30 V DHD90N03 TO-252B 30 V 90A Dispositivo DH90N03 B17 Specifiche.pdf
Modalità di miglioramento a canale N MOSFET di potenza 80A 60V D80N06 TO-252B 60 V 80A Dispositivo 80N06 Specifiche.pdf
F12N70
MOSFET di potenza in modalità potenziata a canale N da 110 A 100 V D100N10/D100N10F/D100N10E/D100N10B/D100N10D
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 4 A 650 V B4N65 TO-251B B4N65 TO-251B 650 V 4A 英文版B4N65X技术规格书X(1).pdf
Diodo a recupero rapido 30A 600V MURF3060 TO-220-2L MURF3060
Diodo a recupero rapido 40A 600V MUR4060BCT TO-247 MUR4060BCT
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 65 A 30 V DH033N03R DFN3X3 DH033N03R DFN3X3 30 V 65A Specifiche del dispositivo DH033N03R.pdf
10N80/F10N80/E10N80
Diodo barriera Schottky 20A 60V BASSO VF HMBRD20R60 TO-252B HMBRD20R60 TO-252B 60 V 20A 英文版HMBRD20R60技术规格书TO-252B-REV-1.1.pdf
DHU3N90/DHD3N90
MOSFET di potenza F8N50 TO-220F in modalità potenziamento canale N da 8 A 500 V F8N50 TO-220F 500 V 8A Donghai_F8N50_Datesheet_V1.0.pdf
2N60/F2N60/I2N60/E2N60/B2N60/D2N60
MOSFET di potenza modalità potenziamento canale N 81A 30V DHP90N03 DFN5X6-8L DHP90N03 DFN5*6 30 V 81A Donghai_DHP90N03_YAF Scheda tecnica_ V1.0(1).pdf
Diodo a barriera Schottky 30A 100V TO-220M MBR30100CT TO-220M 100 V 30A 英文版MBR30100CT技术规格书REV1.0.pdf
-100 V/33 mΩ/-35 A P-MOSFET DH100P30D TO-252B DH100P30D TO-252B -100 V -35A Donghai_DH100P30D_Datasheet_V1.0+.pdf

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