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MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 4 A 1500 V DH4N150F TO-3PF DH4N150F TO-3PF 1500 V 4A 英文版DH4N150F技术规格书.pdf
Transistor bipolare con gate isolato 60A 650V G60T65D TO-3PN DHG60T65D TO-3PN 650 V 60A Specifiche del dispositivo DHG60T65D (TO-3PN) Rev1.2.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 60 A 68 V DH60N06/DHF60N06/DHE60N06/DHB60N06/DHD60N06 DH60N06 TO-220C 60 V 60A Specifiche del dispositivo DH60N06+.pdf
MOSFET di potenza F10N80 TO-220F in modalità potenziamento canale N da 10 A 800 V F10N80 TO-220F 800 V 10A 英文版F10N80技术规格书.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento a canale N 13A 500V F13N50 TO-220F F13N50 TO-220F 500 V 13A 英文版F13N50技术规格书R1.1.pdf
MOSFET di potenza F12N60 TO-220F in modalità potenziamento canale N da 12 A 600 V F12N60 TO-220F 600 V 12A 英文版F12N60技术规格书REV1.0(1).pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziata a canale N da 23 A 500 V 23N50D TO-3P 23N50D TO-3PN 500 V 23A 英文版23N50D技术规格书.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 4 A 600 V B4N60 B4N60 TO-251B 600 V 4A 英文版B4N60技术规格书.pdf
Modulo IGBT mezzo ponte 50A 1200V DHG50N120D 34mm DHG50N120D 34 mm 1200 V 50A DHG50N120D.pdf
MOSFET di potenza D7N70 TO-252B in modalità potenziamento canale N da 7 A 700 V D7N70 TO-252B 700 V 7A 英文版D7N70技术规格书.pdf
MOSFET di potenza B5N65 TO-251B in modalità potenziamento canale N da 5 A 650 V B5N65 TO-251B 650 V 5A 英文版B5N65技术规格书MAX.pdf
Modulo IGBT mezzo ponte 75A 1200V DGA75H120M2T 34mm DGA75H120M2T 34 mm 1200 V 75A DGA75H120M2T.pdf
MOSFET di potenza SiC a canale N da 20 mΩ 650 V DCC020M65G2 TO-247 DCC020M65G2 TO-247 650 V 92A DCC020M65G2&DCCF020M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N 10A 650V 10N65 TO-220C 10N65 TO-220C 650 V 10A 英文版10N65技术规格书.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 13 A 500 V 13N50 TO-220C 13N50 TO-220C 500 V 13A 英文版13N50技术规格书.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento a canale N 4A 800V B4N80 TO-251B B4N80 TO-251B 800 V 4A 英文版B4N80技术规格书.pdf
MOSFET di potenza SIC a canale N 41A 650V DCC060M65G2 TO-247 DCC060M65G2 TO-247 650 V 41A DCC060M65G2&DCCF060M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
Diodo a barriera Schottky SiC da 5 A 1200 V DCD05D120G3
MOSFET di potenza F14N65 TO-220F in modalità potenziamento canale N da 14 A 650 V F14N65 TO-220F 650 V 14A 英文版F14N65技术规格书AY3.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 12 A 650 V F12N65 F12N65 TO-220F 650 V 12A 英文版F12N65技术规格书REV1.0.pdf

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