2N60/F2N60/I2N60/E2N60/B2N60/D2N60

MOSFET di potenza in modalità potenziata a canale N da 2 A 600 V

1 Descrizione

Questi vdmosfet potenziati a canale N in silicio sono ottenuti mediante la tecnologia planare autoallineata che riduce il

perdita di conduzione, migliorare le prestazioni di commutazione e aumentare l'energia della valanga. Che è conforme allo standard RoHS.

2 Caratteristiche

● Commutazione rapida

● Bassa resistenza (Rdson ≤ 4,5 Ω)

● Bassa carica di gate (tipicamente: 8,5 nC)

● Bassa capacità di trasferimento inverso (tipicamente: 3,8 pF)

● Test energetico da valanga a impulso singolo al 100%.

● Test ΔVDS al 100%.

3 applicazioni

● Utilizzato in vari circuiti di commutazione di potenza per la miniaturizzazione del sistema e una maggiore efficienza.

● Circuito dell'interruttore di alimentazione dell'adattatore e del caricabatterie.

VDSS	RDS(acceso)(TIPO)	ID
600 V	4,0Ω	2A