2N60/F2N60/I2N60/E2N60/B2N60/D2N60

MOSFET de potência do modo de aprimoramento de canal N 2A 600V

1 Descrição

Esses vdmosfets aprimorados de canal N de silício são obtidos pela tecnologia planar autoalinhada que reduz o

perda de condução, melhora o desempenho de comutação e aumenta a energia da avalanche. O que está de acordo com o padrão RoHS.

2 recursos

● Troca rápida

● Baixa resistência (Rdson≤4,5Ω)

● Carga de porta baixa (Tipo: 8,5nC)

● Baixas capacitâncias de transferência reversa (Tipo: 3,8pF)

● Teste de energia de avalanche de pulso único de 100%

● Teste ΔVDS 100%

3 aplicações

● Usado em vários circuitos de comutação de energia para miniaturização do sistema e maior eficiência.

● Circuito do interruptor de alimentação do adaptador e do carregador.

VDSS	RDS(ligado)(TYP)	EU IA
600 V	4,0Ω	2A