2N60/F2N60/I2N60/E2N60/B2N60/D2N60

2A 600V N-canali amplificatio Modus Power MOSFET

1 Description

Haec Pii N-canalis vdmosfets aucta, a technologia planaria auto-aligna facta obtinetur, quae thecam minuunt

conductio damnum, emendare mutandi perficiendi et augendae NIVIS energiae. Quod congruit cum RoHS vexillum.

2 Features

Fast commutatione

● Minimum resistente (Rdson≤4.5Ω)

Praefectum portae Minimum (Typ: 8.5nC)

Minimum contra facultates translationis (Typ: 3.8pF)

C% unius pulsus NIVIS industria test

C% VDS test

III Applications

● In variis potentiae mutandi circuitionibus ad systema miniaturizationis et efficientiae altioris adhibitum.

● Virtutis ambitum nibh ac patina commutandum.

VDSS	RDS(on)(TYP)	ID
600V	4.0Ω	2A