2N60/F2N60/I2N60/E2N60/B2N60/D2N60

2A 600V N-Channel Uboreshaji Mode Power MOSFET

Maelezo 1

Silicon N-channel iliyoimarishwa VDMosfets, hupatikana na teknolojia ya sayari iliyojitenga ambayo hupunguza

Upotezaji wa uzalishaji, kuboresha utendaji wa kubadili na kuongeza nishati ya avalanche. Ambayo inaambatana na kiwango cha ROHS.

Vipengele 2

● Kubadilisha haraka

● Chini ya upinzani (rdson≤4.5Ω)

● Malipo ya lango la chini (TYP: 8.5NC)

● Uwezo wa chini wa uhamishaji wa nyuma (typ: 3.8pf)

● Mtihani wa nishati moja wa Pulse Avalanche

● Mtihani wa 100% ΔVDS

Maombi 3

● Inatumika katika mzunguko tofauti wa kubadili nguvu kwa mfumo wa miniaturization na ufanisi mkubwa.

● Mzunguko wa kubadili nguvu ya adapta na chaja.