2N60/F2N60/I2N60/E2N60/B2N60/D2N60

2A 600V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET

1 Beschreibung

Diese Silizium-N-Kanal-verstärkten VDMOSFETs werden durch die selbstausrichtende Planartechnologie erhalten, die die reduziert

Leitungsverlust, verbessern die Schaltleistung und erhöhen die Lawinenenergie. Was dem RoHS-Standard entspricht.

2 Funktionen

● Schnelles Umschalten

● Niedriger Einschaltwiderstand (Rdson≤4,5Ω)

● Geringe Gate-Ladung (typisch: 8,5 nC)

● Geringe Rückübertragungskapazitäten (Typ: 3,8 pF)

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest

● 100 % ΔVDS-Test

3 Anwendungen

● Wird in verschiedenen Leistungsschaltkreisen zur Systemminiaturisierung und höheren Effizienz verwendet.

● Netzschalter-Stromkreis von Adapter und Ladegerät.

VDSS	RDS(ein)(TYP)	AUSWEIS
600V	4,0 Ω	2A