2N60/F2N60/I2N60/ E2N60/B2N60/D2N60

2A 600V N-арнаны жақсарту режимі Қуат MOSFET

1 Сипаттама

Бұл кремний N-арнасы жақсартылған vdmosfets, өздігінен тураланатын жазық технология арқылы алынған, олар

өткізгіштік жоғалту, коммутация өнімділігін жақсарту және көшкін энергиясын арттыру. Бұл RoHS стандартына сәйкес келеді.

2 Мүмкіндіктер

● Жылдам ауысу

● Төмен қарсылық (Rdson≤4,5Ω)

● Төмен зарядтау (Типі: 8,5нC)

● Төмен кері тасымалдау сыйымдылығы (Типі: 3,8pF)

● 100% бір импульстік көшкін энергиясының сынағы

● 100% ΔVDS сынағы

3 Қолданбалар

● Жүйені кішірейту және жоғары тиімділік үшін әртүрлі қуат коммутация тізбегінде қолданылады.

● Адаптер мен зарядтағыштың қуат қосқышының тізбегі.

VDSS	RDS(қосу)(TYP)	ID
600В	4,0 Ом	2А