қол жетімділігі: | |
---|---|
саны: | |
2a 600V N каналды жетілдіру режимі Power MOSFET
1 сипаттама
Бұл кремний n-каналдың жақсартылған VDMOSFETS-ті, оны төмендететін өзіндік тураланған «Технология» технологиясымен алынады
Өткізу шығыны, коммутацияны жақсарту және көшкін энергиясын жақсартады. ROHS стандартымен қандай үйлеседі.
2 мүмкіндіктер
● Жылдам коммутатор
● төмен қарсылық (RDSON≤4.5ω)
● Төменгі қақпа заряды (TYP: 8.5NC)
● Кері аударымның төмен сыйымдылығы (TYP: 3.8PF)
● 100% жалғызбасты импульстің көшбасшысы
● 100% δDS тест
3 өтінім
● Жүйелік миниатюрация және жоғары тиімділік үшін әр түрлі қуатты коммутациялық тізбекте қолданылады.
● Адаптер мен зарядтағыштың қуат қосқышы.
Vdss | RDS (қосу) (тип) | Куәлік |
600 В | 4.0ω | 2А |
2a 600V N каналды жетілдіру режимі Power MOSFET
1 сипаттама
Бұл кремний n-каналдың жақсартылған VDMOSFETS-ті, оны төмендететін өзіндік тураланған «Технология» технологиясымен алынады
Өткізу шығыны, коммутацияны жақсарту және көшкін энергиясын жақсартады. ROHS стандартымен қандай үйлеседі.
2 мүмкіндіктер
● Жылдам коммутатор
● төмен қарсылық (RDSON≤4.5ω)
● Төменгі қақпа заряды (TYP: 8.5NC)
● Кері аударымның төмен сыйымдылығы (TYP: 3.8PF)
● 100% жалғызбасты импульстің көшбасшысы
● 100% δDS тест
3 өтінім
● Жүйелік миниатюрация және жоғары тиімділік үшін әр түрлі қуатты коммутациялық тізбекте қолданылады.
● Адаптер мен зарядтағыштың қуат қосқышы.
Vdss | RDS (қосу) (тип) | Куәлік |
600 В | 4.0ω | 2А |