2A 600V N-சேனல் மேம்படுத்தல் பயன்முறை பவர் MOSFET
1 விளக்கம்
இந்த சிலிக்கான் என்-சேனல் மேம்படுத்தப்பட்ட vdmosfets, சுய-சீரமைக்கப்பட்ட பிளானர் தொழில்நுட்பத்தால் பெறப்படுகிறது.
கடத்தல் இழப்பு, மாறுதல் செயல்திறனை மேம்படுத்துதல் மற்றும் பனிச்சரிவு ஆற்றலை மேம்படுத்துதல். இது RoHS தரத்துடன் ஒத்துப்போகிறது.
2 அம்சங்கள்
● வேகமாக மாறுதல்
● குறைந்த எதிர்ப்பு (Rdson≤4.5Ω)
● குறைந்த கேட் கட்டணம் (வகை: 8.5nC)
● குறைந்த தலைகீழ் பரிமாற்ற கொள்ளளவு (வகை: 3.8pF)
● 100% ஒற்றை துடிப்பு பனிச்சரிவு ஆற்றல் சோதனை
● 100% ΔVDS சோதனை
3 விண்ணப்பங்கள்
● சிஸ்டம் மினியேட்டரைசேஷன் மற்றும் அதிக செயல்திறனுக்காக பல்வேறு பவர் ஸ்விட்சிங் சர்க்யூட்டில் பயன்படுத்தப்படுகிறது.
● அடாப்டர் மற்றும் சார்ஜரின் பவர் சுவிட்ச் சர்க்யூட்.
| வி.டி.எஸ்.எஸ் |
RDS(on)(TYP) |
ஐடி |
| 600V |
4.0Ω |
2A |