ворота
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Вы здесь: Дом » Продукты
Модель:
Упаковка:
V:
A:
Выбранные линейки продуктов:

Все продукты

изображений модели Пакет v Анаширование данных сведения о данных Добавить в корзину
60a 300V Диод быстрого восстановления MUR60G30NCT TO-3PN MUR60G30NCT До 3pn 300 В. 60A 英文版 MUR60G30NCT 技术规格书 Rev.1.0.pdf
10A 700V Диод быстрого восстановления MUR1070 до-220-2L MUR1070 До-220-2L 700 В. 10а 英文版 mur1070 技术规格书 .pdf
40A 600V Диод быстрого восстановления MUR40FU60DCT TO-3PN MUR40FU60DCT До 3pn 600 В. 40a 英文版 mur40fu60dct 技术规格书 .pdf
120A 80 В N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DSG053N08N3 DSG053N08N3 До-220c 80 В 120a DSG053N08N3 & DSE051N08N3_DATASHEET_V1.0.PDF
-50A -40V P-Channel Режим улучшения мощности MOSFET DH160P04D до 252B DH160P04D До 252b -40V -50a DH160P04D_DATASHEET_V1.0.PDF
180A 80 В N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DH029N08 TO-220C DH029N08 До-220c 80 В 180a Устройство DH029N08 Specification.pdf
20A 200V SchottkybarrierDiode MBRF20200CT TO-220F MBRF20200CT До-220f 200 В 20А 英文版 MBRF20200CT 技术规格书 Rev1.1.pdf
120A 98V N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DHS046N10 до-220C DHS046N10 До-220c 98В 120a Устройство DHS046N10 Specification.pdf
N-канальный режим режима мощности MOSFET 100A 30V DHD100N03 до 252B DHD100N03 До 252b 30 В 100А Устройство DH100N03 B13 Specification.pdf
18A 500V N-канальный режим улучшения мощности MOSFET F18N50 TO-220F F18N50 До-220f 500 В. 18а 英文版 f18n50 技术规格书 .pdf
140A 30 В P-канала режима режима мощности Power MOSFET DH060P03/DH060P03F/DH060P03E/DH060P03B/DH060P03D
10A 600V Диод быстрого восстановления MURF1060 до 220-2L MURF1060 TO-220F-2L 600 В. 10а 英文版 Murf1060ct 技术规格书 .pdf
20A 200V Низкий VF Schottky Barrier Diode MBRF20R200CT TO-220F MBRF20R200CT До-220f 200 В 20А 英文版 MBR20R200CT 技术规格书 .pdf
25A 100 В N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DHS250N10D до 252B DHS250N10D До 252b 100 В 25а Устройство+DHS250N10D+Спецификация+Rev1.0.pdf
12A 100 В N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DH1K1N10D до 252B DH1K1N10D До 252b 100 В 12A Устройство DH1K1N10 Specification.pdf
20A 600V Диод быстрого восстановления MUR2060A до 220-2L MUR2060A До-220-2L 600 В. 20А 英文版 MUR2060A 技术规格书 (2L) .pdf
 N-канальный режим улучшения мощности MOSFET 120A 98V DHS045N98 TO-220C DHS045N98 До-220c 98В 120a Устройство DHS045N98 Specization-Rev.1.0.pdf
80A 75V N-канальный режим режима Power MOSFET D7509 TO-220C D7509 До-220c 75 В. 80A Устройство D7509 Specification.pdf
N-канальный режим улучшения мощности MOSFET 180A 80V DH8004 TO-220C DH8004 До-220c 80 В 180a Устройство DH8004 спецификация (2) .pdf
9A 900V N-канальный режим режима мощности MOSFET 9N90 TO-3PN 9n90 До 3pn 900 В. 英文版 9n90 3pn 技术规格书 .pdf

Продукт видео

  • Зарегистрируйтесь в нашей бюллетене
  • Будьте готовы к будущему,
    подпишитесь на нашу новостную рассылку, чтобы получить обновления прямо в ваш почтовый ящик