Деревянные двери(1)(8) (1)
ворота
Цзянсу Донхай Полупроводниковая Компания, ООО
Вы здесь: Дом » Товары
Модель:
Упаковка:
В:
А:
ИЗБРАННЫЕ ЛИНИИ ПРОДУКЦИИ:

Все продукты

Изображение Модель Пакет V A Техническое описание Подробности Запрос Добавить в корзину
4А, 1500 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH4N150F TO-3PF ДХ4Н150Ф ТО-3ПФ 1500В 4А 英文版DH4N150F 技术规格书.pdf
60А 650В биполярный транзистор с изолированным затвором G60T65D TO-3PN ДХГ60Т65Д ТО-3ПН 650В 60А Спецификация устройства DHG60T65D(TO-3PN)Rev1.2.pdf
60A 68V N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DH60N06/DHF60N06/DHE60N06/DHB60N06/DHD60N06 ДХ60Н06 ТО-220С 60В 60А Спецификация устройства DH60N06+.pdf
10А, 800 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор F10N80 TO-220F Ф10Н80 ТО-220Ф 800В 10А 英文版F10N80技术规格书.pdf
N-канальный режим расширения, силовой МОП-транзистор 13 А, 500 В F13N50 TO-220F Ф13Н50 ТО-220Ф 500В 13А 英文版F13N50技术规格书R1.1.pdf
12А, 600 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор F12N60 TO-220F Ф12Н60 ТО-220Ф 600В 12А 英文版F12N60技术规格书REV1.0(1).pdf
23А, 500 В, N-канальный режим расширения, силовой МОП-транзистор 23N50D TO-3P 23Н50Д ТО-3ПН 500В 23А 英文版23N50D 技术规格书.pdf
4А, 600 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор B4N60 Б4Н60 ТО-251Б 600В 4А 英文版B4N60技术规格书.pdf
Полумостовой IGBT-модуль 50 А, 1200 В DHG50N120D, 34 мм ДХГ50Н120Д 34 мм 1200В 50А DHG50N120D.pdf
7А, 700 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор D7N70 TO-252B Д7Н70 ТО-252Б 700В 7А 英文版D7N70技术规格书.pdf
5А, 650 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор B5N65 TO-251B Б5Н65 ТО-251Б 650В 5А 英文版B5N65技术规格书MAX.pdf
Полумостовой IGBT-модуль 75 А, 1200 В DGA75H120M2T, 34 мм ДГА75Х120М2Т 34 мм 1200В 75А ДГА75Х120М2Т.pdf
N-канальный силовой SiC-МОП-транзистор, 20 мОм, 650 В DCC020M65G2 TO-247 DCC020M65G2 ТО-247 650В 92А DCC020M65G2&DCCF020M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
N-канальный режим расширения, силовой МОП-транзистор 10 А, 650 В, 10N65 TO-220C 10Н65 ТО-220С 650В 10А 英文版10N65技术规格书.pdf
13А, 500 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор 13N50 TO-220C 13Н50 ТО-220С 500В 13А 英文版13N50技术规格书.pdf
N-канальный режим расширения, силовой МОП-транзистор 4А, 800 В B4N80 TO-251B Б4Н80 ТО-251Б 800В 4А 英文版B4N80技术规格书.pdf
N-канальный силовой МОП-транзистор DCC060M65G2 TO-247, 41 А, 650 В, SIC DCC060M65G2 ТО-247 650В 41А DCC060M65G2&DCCF060M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
5А 1200В SiC диод Шоттки с барьером DCD05D120G3
14А, 650 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор F14N65 TO-220F Ф14Н65 ТО-220Ф 650В 14А 英文版F14N65技术规格书AY3.pdf
12 А, 650 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор F12N65 Ф12Н65 ТО-220Ф 650В 12А 英文版F12N65技术规格书REV1.0.pdf

Видео о продукте

  • Цзянсу Донхай Полупроводниковая Компания, ООО
  • Подпишитесь на нашу рассылку
  • будьте готовы к будущему,
    подпишитесь на нашу рассылку, чтобы получать обновления прямо на ваш почтовый ящик
    Представлять на рассмотрение
Авторские права © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. Leadong.com