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Semicondutor Co. de Jiangsu Donghai, Ltd
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20A 650V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET 20N65 TO-220C 20N65 PARA-220C 650 V 20A 英文版20N65技术规格书AA9.pdf
Potência do modo de aprimoramento de canal N MOSFET 180A 100V DSG028N10NA TO-220C DSG028N10NA PARA-220C 100V 180A Dispositivo+DSE026N10NA&DSG028N10NA+Especificação+Rev.1.0.pdf
16A 650V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET F16N65 F16N65 TO-220F 650 V 16A 英文版F16N65技术规格书.pdf
60A 60V SchottkyBarrierDiode MBR6060CT TO-3PN MBR6060CT TO-3PN 60 V 60A 英文版MBR6060CT(3P,3PN,247)技术规格书.pdf
90A 30V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHD90N03 TO-252B DHD90N03 TO-252B 30V 90A Especificação do dispositivo DH90N03 B17.pdf
Modo de aprimoramento de canal N Potência MOSFET 80A 60V D80N06 TO-252B 60 V 80A Especificação do dispositivo 80N06.pdf
F12N70
110A 100V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET de potência D100N10/D100N10F/D100N10E/D100N10B/D100N10D
4A 650V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET B4N65 TO-251B B4N65 TO-251B 650 V 4A 英文版B4N65X技术规格书X(1).pdf
Diodo de recuperação rápida 30A 600V MURF3060 TO-220-2L MURF3060
Diodo de recuperação rápida 40A 600V MUR4060BCT TO-247 MUR4060BCT
65A 30V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH033N03R DFN3X3 DH033N03R DFN3X3 30V 65A Especificação do dispositivo DH033N03R.pdf
10N80/F10N80/E10N80
20A 60V BAIXO diodo de barreira VF Schottky HMBRD20R60 TO-252B HMBRD20R60 TO-252B 60 V 20A 英文版HMBRD20R60技术规格书TO-252B-REV-1.1.pdf
DHU3N90/DHD3N90
8A 500V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET F8N50 TO-220F F8N50 TO-220F 500 V 8A Donghai_F8N50_Datesheet_V1.0.pdf
2N60/F2N60/I2N60/E2N60/B2N60/D2N60
81A 30V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHP90N03 DFN5X6-8L DHP90N03 DFN5*6 30V 81A Donghai_DHP90N03_YAF Folha de dados_ V1.0(1).pdf
Diodo de barreira Schottky 30A 100V TO-220M MBR30100CT PARA-220M 100V 30A 英文版MBR30100CT技术规格书REV1.0.pdf
-100V/33mΩ/-35A P-MOSFET DH100P30D TO-252B DH100P30D TO-252B -100V -35A Donghai_DH100P30D_Datasheet_V1.0+.pdf

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