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81A 30V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHP90N03 DFN5X6-8L DHP90N03 DFN5*6 30V 81A Donghai_DHP90N03_YAF Folha de dados_ V1.0(1).pdf
Diodo de barreira Schottky 30A 100V TO-220M MBR30100CT PARA-220M 100V 30A 英文版MBR30100CT技术规格书REV1.0.pdf
-100V/33mΩ/-35A P-MOSFET DH100P30D TO-252B DH100P30D PARA-252B -100V -35A Donghai_DH100P30D_Datasheet_V1.0+.pdf
13N90
20A 45V SchottkyBarrierDiode MBR2045CT TO-220C MBR2045CT TO-220C 45V 20A 英文版MBR2045CT技术规格书.pdf
Modo de aprimoramento de canal N Potência MOSFET 5A 650V D5N65-XAD TO-252B D5N65-XAD PARA-252B 650 V 5A 英文版D5N65-XAD技术规格书.pdf
20A 200V SchottkyBarrierDiode MBR20200CT TO-220M MBR20200CT PARA-220M 200 V 20A 英文版MBR20200CT技术规格书REV1.1.pdf
30A 60V SchottkyBarrierDiode MBR3060CT TO-220M MBR3060CT PARA-220M 60V 30A 英文版MBR3060CT技术规格书REV1.1(1).pdf
6N90/F6N90
Modo de aprimoramento de canal N Potência MOSFET 8A 500V D8N50 TO-252B D8N50 PARA-252B 500 V 8A 英文版D8N50技术规格书REV1.1.pdf
20N90D/20N90B
25A 650V canal N Super Junction Power MOSFET DHSJ25N65F TO-220C DHSJ25N65F TO-220C 650 V 25A Especificação do dispositivo DHSJ25N65F.pdf
10A 200V SchottkyBarrierDiode MBRF10R200CT TO-220F 200 V 10A 英文版MBRF10R200CT技术规格书.pdf
9N90/F9N90/E9N90
Diodo de barreira SiC Schottky DCE20D65G4 TO-263 de 20A 650V DCE20D65G4 PARA-263 650 V 20A Especificação do dispositivo DCE20D65G4.pdf
Diodo de barreira Schottky 30A 200V MBRF30200CT TO-220F MBRF30200CT TO-220F 200 V 30A 英文版MBRF30200CT技术规格书REV1.0.pdf
Diodo de recuperação rápida 20A 400V MURF2040CT TO-220F MURF2040CT TO-220F 400 V 20A 英文版MURF2040CT技术规格书REV1.0.pdf
160A 120V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHS044N12 TO-220C DHS044N12 TO-220C 120V 160A Especificação do dispositivo DHS044N12.pdf
85H025N08 TO-220C DH025N08 TO-220C 85V 215A Donghai_DH025N08_Datasheet_V1.0.pdf
70A 650V canal N Super Junction Power MOSFET DJC070N65M2 TO-247 DJC070N65M2 PARA-247 650 V 70A Especificação do dispositivo DJC070N65M2 Rev.1.0.pdf

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