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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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85V/2,9MΩ/215AN-MOSFET DH025N08 TO-220C

Esses MOSFETs de energia de aprimoramento de canal N usavam o design avançado da tecnologia de valas de portão de divisão, forneceram excelente rdson e baixa carga do portão. Que de acordo com o padrão ROHS.
Disponibilidade:
Quantidade:

85V/2,9MΩ/215A N-MOSFET


1 Descrição 

Esses MOSFETs de energia de aprimoramento de canal N usavam o design avançado da tecnologia de valas de portão de divisão, forneceram excelente rdson e baixa carga do portão. Que de acordo com o padrão ROHS. 


2 recursos 

● Comutação rápida

● baixa resistência 

● Capacitâncias de transferência reversa baixa

• Baixa carga do portão

● Teste de energia de avalanche de pulso 100% único

● Teste 100% ΔVDS 

  • Alta avalanche atual


3 aplicações 

● Controle e acionamento do motor

● Carga/descarga para o sistema de gerenciamento de bateria

● retificador síncrono para SMPS



VDSS Rds (on) (Typ) EU IA
85V 2.9mΩ 215a


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