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85 V/2,9 mΩ/215AN-MOSFET DH025N08 TO-220C

Diese N-Channel-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten fortschrittliche Splite-Gate-Graben-Technologie-Design und bildeten eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard.
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85 V/2,9 mΩ/215A N-MOSFET


1 Beschreibung 

Diese N-Channel-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten fortschrittliche Splite-Gate-Graben-Technologie-Design und boten eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard. 


2 Merkmale 

● schnelles Umschalten

● Niedrig des Widerstands 

● Niedrige Umkehrtransferkapazität

• Ladung mit niedriger Torladung

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest

● 100% ΔVDS -Test 

  • Hoher Lawinenstrom


3 Anwendungen 

● Motorsteuerung und Antrieb

● Ladung/Entladung für das Batterieverwaltungssystem

● Synchrone Gleichrichter für SMPs



VDSS RDS (ON) (Typ) AUSWEIS
85 V 2,9 mΩ 215a


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