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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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85V/2,9mΩ/215AN-MOSFET DH025N08 TO-220C

Diese Leistungs-MOSFETs im N-Kanal-Anreicherungsmodus verwenden ein fortschrittliches Split-Gate-Trench-Technologie-Design und bieten einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht.
Verfügbarkeit:
Menge:

85 V/2,9 mΩ/215 A N-MOSFET


1 Beschreibung 

Diese Leistungs-MOSFETs im N-Kanal-Anreicherungsmodus verwenden ein fortschrittliches Split-Gate-Trench-Technologie-Design und bieten einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht. 


2 Funktionen 

● Schnelles Umschalten

● Geringer Widerstand 

● Geringe Rückübertragungskapazitäten

• Niedrige Gate-Ladung

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest

● 100 % ΔVDS-Test 

  • Hohe Lawinenströmung


3 Anwendungen 

● Motorsteuerung und Antrieb

● Laden/Entladen für Batteriemanagementsystem

● Synchrongleichrichter für SMPS



VDSS RDS(ein)(TYP) AUSWEIS
85V 2,9 mΩ 215A


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